通過(guò)在硬盤探針的針尖鍍上一層薄薄的金屬膜，Intel的一個(gè)研究小組日前已經(jīng)研究出了一項(xiàng)最新的持久型超高密度探針存儲(chǔ)硬盤，這個(gè)項(xiàng)目由Intel公司主導(dǎo)，該設(shè)備使用了超細(xì)探針陣列，擁有5000個(gè)集成在一個(gè)電子芯片上的探針。 據(jù)Intel研究團(tuán)隊(duì)介紹稱：該硬盤的探針通過(guò)發(fā)送瞬間電脈沖，將數(shù)據(jù)比特信息發(fā)送到只有幾納米面積的鐵電薄膜（ferroelectric film）上，鐵電體材料在周圍電場(chǎng)的作用下被永久的極化，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

但是考慮到這種超高速的數(shù)據(jù)讀寫速度以及如此多的探針數(shù)目，存儲(chǔ)器的探針陣列需要快速和頻繁的在鐵電薄膜上不停的移動(dòng)，這樣的機(jī)械運(yùn)動(dòng)將會(huì)導(dǎo)致膜面磨損，將會(huì)嚴(yán)重的降低探針的讀取精度。為了解決這一問(wèn)題，研究人員在探針表面鍍了一層二硼化鉿（HfB2），二硼化鉿涂層不但降低了存儲(chǔ)器的磨損速度，還能夠有效保證讀寫探頭移動(dòng)距離在8公里之內(nèi)時(shí)仍能擁有超高的讀寫精度。

如此多的探針以及微型電子芯片，Intel的該新型存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量將會(huì)非常恐怖——每平方英寸能夠保存超過(guò)1TB的數(shù)據(jù)，不過(guò)Intel并未公布總存儲(chǔ)量為多少。

Intel主導(dǎo)的這項(xiàng)基于電子探針的商業(yè)存儲(chǔ)技術(shù)研究獲得了重大突破，該技術(shù)的存儲(chǔ)能力將會(huì)大大超越現(xiàn)有機(jī)械式硬盤和SSD固態(tài)硬盤。

硬盤容量的提高依賴于磁頭的靈敏度，如果磁頭越靈敏，就能在單位面積的區(qū)域上讀出更多的信息。Intel的這種新型電子探針硬盤將會(huì)從很大程度上改變現(xiàn)有的存儲(chǔ)格局，不過(guò)目前仍在實(shí)驗(yàn)階段，如果真正商業(yè)化的話，那么我們的個(gè)人電腦的硬盤的存儲(chǔ)單位將會(huì)實(shí)現(xiàn)從GB到TB的跨越式發(fā)展，并極有機(jī)會(huì)完全代替?zhèn)鹘y(tǒng)硬盤成為計(jì)算機(jī)的主力存儲(chǔ)系統(tǒng)。

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