經(jīng)過17個月的發(fā)展，世界上最大的一群內(nèi)存制造商，已經(jīng)宣布了一項新的解決方案，有望極大地提升標準的DDR3和DDR4 DRAM的性能，同時降低功耗。"Hybrid Memory Cube"聯(lián)盟的設(shè)計，旨在解決傳統(tǒng)DRAM模塊的局限性(在高需求的情境下，會束縛性能)。HMC聯(lián)盟的成員包括三星和鎂光等公司。

"內(nèi)存墻"(memory wall)這個壁壘，需要一個全新的架構(gòu)來突破，而這就是HMC要帶給桌面的。

如果你見過Nvidia公司最近宣布的下一代(2016ish)Volta圖形卡(使用了一個堆疊的DRAM設(shè)計，據(jù)稱可提供1TB/s的帶寬)，那么看到下圖的HMC說明圖，你或許會覺得有點眼熟。

HMC聯(lián)盟的要求沒有想象中的那么高，但其產(chǎn)品仍可能無法在3年內(nèi)席卷市場。鎂光計劃在今天秋季制作堆疊式DRAM的樣品，并希望在明年上半年開始生產(chǎn)。

HMC的堆疊式DRAM芯片采用了一個叫做"垂直互連訪問"的技術(shù)(Vertical Interconnect Access)，使得電器線路可以垂直通過堆疊的DRAM硅片。內(nèi)存塊的核心，坐在基板的一塊邏輯芯片上。

現(xiàn)有的原型，有著128或256的內(nèi)存banks。且據(jù)鎂光的一名執(zhí)事稱，首個HMC規(guī)范將提供2GB和4GB的封裝，以及高達160GB/s的雙向帶寬。相較而言，DDR3和DDR4則分別只有11GB/s和18-20GB/s之間的帶寬。

除了比標準的DRAM快15倍的速度，HMC聯(lián)盟還表示，其功耗將降低70%。