雖然英特爾最新最高端的Ivy Bridge-E 平臺(tái)即將在九月份正式發(fā)布，但是由于與 Sandy Bridge-E 相比只是例行的升級(jí)，讓很多DIY 發(fā)燒友對(duì)此十分不感冒，比如新 22nm 工藝、內(nèi)存支持 DDR3-1866、更好 PCI-E 3.0 標(biāo)準(zhǔn)等，甚至性能只有 10% 左右提升。

相反，Computex 2013 電腦展上英特爾新公布的 Haswell 系列讓人興趣大增，畢竟默認(rèn)頻率提升 的情況下還能保持與 Ivy Bridge 相同的價(jià)格，因此頂級(jí)旗艦處理器 Haswell-E 備受關(guān)注。日前，又有關(guān)于 Haswell-E 系 列詳情被挖掘泄露到網(wǎng)絡(luò)上了，而且這些十分詳細(xì)，亮點(diǎn)十足，我們一同來(lái)看看。

從這些泄露的官方文檔圖中明顯首先可以看到，Haswell- E 系處理器的發(fā)布時(shí)間在 2014 年下半年。該系列處理器分為六核或八核兩種，支持超線程技術(shù)(Hyper Threading)，首次出 現(xiàn) 8 核 16 線程，三級(jí)緩存(L3)為 20MB，TDP (熱設(shè)計(jì)功耗)最大為 130W 或 140W。

最 重要的是，Haswell-E 首次支持四通道 DDR4 內(nèi)存(不兼容 DDR3)。DDR4 默認(rèn)頻率可分為 333MHz、1600MHz、 1866MHz 和 2133MHz 幾種，不過(guò) 2133MHz 正常情況下應(yīng)該會(huì)成為廠商首推初始頻率，而且還會(huì)有更高頻率的 DDR4 內(nèi)誕生，至 于價(jià)格必定會(huì)比已經(jīng)普及的 DDR3 貴不上。

毫無(wú)疑問(wèn)，英特爾更多的是注重 Haswell-E 系列芯片的超高新能，甚至懶得懶得推出 四核型號(hào)了?？吹竭@里很多燒友發(fā)現(xiàn)另一家不幸的事情了，明年年底才推出 Haswell-E 雖然性能強(qiáng)大，令人印象十分深刻，但這似乎意味著另一條消 息，即下一代采用 14 nm 制程工藝的 Broadwell 處理器可能不會(huì)在 2014 年發(fā)布了。

其余參數(shù)方面，Haswell- E 平臺(tái)相比當(dāng)前 Ivy Bridge-E/EP 的最終性能提升約 33-50% 左右，提升相當(dāng)可觀，并且原生支持 6 個(gè) USB 3.0 接 口、8 個(gè) USB 2.0 接口和 10 個(gè) SATA 6Gbps 接口。另外，Haswell-E 采用的是 LGA 2011-3 類(lèi)型插槽，尺 寸與 LGA 2011 相同，但效率會(huì)更高，只是缺口不會(huì)向后兼容，老平臺(tái)需更換新主板。

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