硬盤(pán)行業(yè)正在進(jìn)行著一場(chǎng)性能對(duì)決容量的戰(zhàn)爭(zhēng)，由希捷引領(lǐng)的硬盤(pán)—閃存混合設(shè)備對(duì)陣西數(shù)—HGST的充氦氣設(shè)備。在技術(shù)介紹會(huì)上，希捷暗示可能要推出新的固態(tài)混合設(shè)備(SSHD)—這將把非易失性NAND緩存和磁片結(jié)合起來(lái)—涉及到貼片磁記錄技術(shù)(SMR)和熱輔助磁記錄技術(shù)(HAMR)。

希捷把貼片技術(shù)作為推動(dòng)如今廣泛使用的垂直磁記錄技術(shù)的一種方式。存儲(chǔ)行業(yè)正在接近超順磁技術(shù)的極限——大約為1Tbit/in2磁錄密度，超過(guò)了這個(gè)限度，用于記錄數(shù)據(jù)的磁性顆粒就會(huì)太小，在溫度改變或受到周?chē)w粒的影響下，它們的磁極就會(huì)改變，從而影響數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

如今希捷硬盤(pán)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)大概是500到600Gbit/in2 ，從理論上來(lái)說(shuō)，希捷可以推出第六代PMR設(shè)備，密度達(dá)到700至800Gbit/in2 磁錄密度，但是它會(huì)這樣做嗎?

以 前希捷說(shuō)過(guò)，它可能在今年推出第一款SMR設(shè)備(容量達(dá)到4.8至5TB)，在2014年推出HAMR設(shè)備，容量達(dá)到6.4TB。很明顯，SMR和 HAMR將會(huì)同時(shí)出現(xiàn)。我們認(rèn)為，SMR硬盤(pán)將會(huì)用于低隨機(jī)寫(xiě)入率的應(yīng)用，而HAMR硬盤(pán)將會(huì)用于高寫(xiě)入率的設(shè)備，至于閃存混合硬盤(pán)，將會(huì)用于高讀取率的 軟件，當(dāng)然，與固態(tài)硬盤(pán)相比，它們價(jià)錢(qián)要可以接受才行。

同時(shí)我們也注意到西部數(shù)據(jù)的HGST對(duì)生產(chǎn)混合硬盤(pán)好像沒(méi)有興趣。

雖然希捷沒(méi)有明確提到會(huì)在以后推出這些產(chǎn)品，但是從邏輯上來(lái)講，這些混合閃存的SMR和HAMR產(chǎn)品最終會(huì)出現(xiàn)在市場(chǎng)上。

若SMR和HAMR算是未來(lái)的技術(shù)，那現(xiàn)在希捷要在其硬盤(pán)產(chǎn)品中采用的技術(shù)就是混合技術(shù)。現(xiàn)在充氦硬盤(pán)已經(jīng)出現(xiàn)，這些就是現(xiàn)在的技術(shù)。

桌面混合硬盤(pán)

我們?cè)谌路莸臅r(shí)候介紹過(guò)這種硬盤(pán)，現(xiàn)在我們有了更多的信息。這種3.5英寸的硬盤(pán)將會(huì)有2，3，4TB的容量版本，還可能有16GB到32GB的NAND緩存用于系統(tǒng)引導(dǎo)文件，或用于其它高訪問(wèn)率的數(shù)據(jù)塊。它的轉(zhuǎn)速能達(dá)到5400rpm。

我們還聽(tīng)說(shuō)這種硬盤(pán)會(huì)在下個(gè)季度上市。

企業(yè)級(jí)渦輪混合硬盤(pán)

希捷把這種硬盤(pán)稱(chēng)為世界上速度最快的硬盤(pán)，它是2.5英寸混合硬盤(pán)，轉(zhuǎn)速達(dá)到10000rpm，容量最高能到600GB。

我們猜測(cè)，不久之后就會(huì)有轉(zhuǎn)速達(dá)15000rpm的版本出現(xiàn)。希捷宣稱(chēng)10k的版本的隨機(jī)讀取性能最高能達(dá)15000rpm版本硬盤(pán)的三倍，這主要是通過(guò)一個(gè)16GB的MLC NAND緩存控制熱數(shù)據(jù)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。

我們認(rèn)為希捷的NAS硬盤(pán)最終也會(huì)混合化，這在邏輯上是行得通的。有一條關(guān)于希捷介紹會(huì)的評(píng)論是：假以時(shí)日，所有的硬盤(pán)都會(huì)變成混合硬盤(pán)。希捷所有的硬盤(pán)都會(huì)成為SSHD。換句話說(shuō)，希捷會(huì)把它所有的產(chǎn)品都混合化。

我們還了解到希捷在測(cè)試數(shù)據(jù)自動(dòng)定位功能。通過(guò)這個(gè)功能，用戶(hù)可以自主選擇把什么數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在閃存中，而不用依賴(lài)自動(dòng)化控制器或軟件。那將會(huì)在硬盤(pán)中裝更多的NAND，以便自動(dòng)選擇數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到閃存緩存中。這個(gè)概念可與英特爾的“智能緩存”相媲美。

驚人的貼片磁記錄技術(shù)

借助貼片磁記錄技術(shù)，連續(xù)的寫(xiě)入磁道可跟原先的磁道重疊，并有效地縮小它們，又因?yàn)樽x取頭比寫(xiě)入頭更窄，所以仍然可以讀取這些單獨(dú)的磁道。

當(dāng)數(shù)據(jù)被重新寫(xiě)入時(shí)，問(wèn)題就來(lái)了：寫(xiě)入頭相對(duì)較寬，新的磁道區(qū)域?qū)?huì)覆蓋下一個(gè)磁道區(qū)域，從而刪除它。所以磁盤(pán)系統(tǒng)不得不先讀取將要被覆蓋的磁道區(qū)域，保存數(shù)據(jù)，然后再寫(xiě)入新的數(shù)據(jù)，最后做一步至關(guān)重要的操作——把保存的數(shù)據(jù)再次寫(xiě)入進(jìn)去。

但 是這種二次寫(xiě)入覆蓋了下一個(gè)磁道，這樣那些在將要被覆蓋的磁道的數(shù)據(jù)，要經(jīng)過(guò)讀取，保存等一系列操作直到磁盤(pán)壽命到頭。另外數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)還要插入到磁道組或 磁道帶之間的空間以保證在一個(gè)磁道帶內(nèi)進(jìn)行連續(xù)的重寫(xiě)。希捷沒(méi)有透露在一個(gè)帶上有多少個(gè)磁道，不過(guò)它指出軌道帶之間的空間被浪費(fèi)了，從這個(gè)意義上來(lái)說(shuō)，如 果合理利用的話，這些空間可以記錄數(shù)據(jù)。

如今的PMR存儲(chǔ)技術(shù)使得在每個(gè)磁道之間都有空間，而貼片磁記錄技術(shù)則嘗試?yán)帽M可能多的空間來(lái)記錄數(shù)據(jù)，雖然會(huì)以犧牲隨機(jī)寫(xiě)入速度為代價(jià)，但最終能實(shí)現(xiàn)理想的連續(xù)寫(xiě)入性能。

貼片磁記錄技術(shù)，可以被用于PMR和HAMR硬盤(pán)設(shè)備中。目前我們還無(wú)從知曉什么時(shí)候SMR硬盤(pán)會(huì)出現(xiàn)。但我們被告知目前已經(jīng)有了標(biāo)準(zhǔn)的SMR硬盤(pán)產(chǎn)品，它們正作為潛在的產(chǎn)品被測(cè)試評(píng)估，我們則覺(jué)得希捷的Terascale設(shè)備的后繼者將會(huì)使用SMR技術(shù)。

HAMR技術(shù)

據(jù)我們之前透露，PMR能實(shí)現(xiàn)大約1Tbit/in2 的磁錄密度，而HAMR最高能實(shí)現(xiàn) 5Tbit/in2的磁錄密度。

如 今的PMR設(shè)備的磁錄密度會(huì)受多方面的影響，比如溫度改變會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失，而HAMR則很好地解決了這個(gè)問(wèn)題，它采用一種新的記錄介質(zhì)，有很高的矯頑磁性 價(jià)值，這意味著就算是溫度發(fā)生隨機(jī)變化，它所記錄的信息也不會(huì)發(fā)生改變。但這使寫(xiě)入數(shù)據(jù)變得困難，保存數(shù)據(jù)的區(qū)域需要在數(shù)據(jù)被寫(xiě)入之前能隨時(shí)被激光脈沖加 溫，冷卻之后，數(shù)據(jù)的狀態(tài)才保持穩(wěn)定。因此，這種技術(shù)才被稱(chēng)為熱輔助磁記錄技術(shù)(HAMR)。

希捷的發(fā)言人表示HAMR硬盤(pán)可能在“這十年的后期出現(xiàn)”，但是他還表示希捷的CEO，董事長(zhǎng)兼總裁史蒂夫·盧克索對(duì)金融分析師做了陳述，內(nèi)容是關(guān)于去年研究的HAMR技術(shù)。

HAMR聯(lián)手貼片技術(shù)對(duì)決氦氣

借 助氦氣，HGST的硬盤(pán)將會(huì)實(shí)現(xiàn)容量的大幅度提升，當(dāng)然，前期是這項(xiàng)技術(shù)起作用。這家公司可以把更多的磁片放入到一個(gè)3.5英寸或2.5英寸的硬盤(pán)中，在 其中充入氦氣來(lái)代替正常的空氣，借此來(lái)增加容量。這是因?yàn)楹獾拿芏缺瓤諝獾?，磁片所受的阻力更小，而精密的?nèi)部機(jī)械機(jī)制會(huì)把讀寫(xiě)頭移動(dòng)到磁表面，降低震 動(dòng)的影響，這樣就可以放入更多的磁片，刻錄更多的數(shù)據(jù)軌道。

讓我們假設(shè)這種方法可行，然后HGST就會(huì)把現(xiàn)有的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)向著充入氦氣的技術(shù)轉(zhuǎn)移，接著實(shí)現(xiàn)硬盤(pán)容量1.5倍的增長(zhǎng)，最后我們就可以有來(lái)自希捷的4TB容量第五代PMR硬盤(pán)，同時(shí)還會(huì)有來(lái)自HGST的6TB容量的第五代氦氣硬盤(pán)。

若 希捷生產(chǎn)SMR硬盤(pán)來(lái)競(jìng)爭(zhēng)，那HGST可以做一個(gè)氦氣SMR硬盤(pán)來(lái)保持自己的容量?jī)?yōu)勢(shì)。這樣的話，希捷可以借助HAMR來(lái)實(shí)現(xiàn)磁道密度的提升，憑此帶來(lái)的 硬盤(pán)工作效率的提升來(lái)對(duì)抗HGST氦氣硬盤(pán)的大容量。希捷還會(huì)混合化它的硬盤(pán)產(chǎn)品，以它們的讀取性能優(yōu)勢(shì)來(lái)對(duì)抗競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

除非HGST能和希捷一樣在同樣的時(shí)間范圍內(nèi)推出HAMR硬盤(pán)，否則和希捷相比，它的氦氣硬盤(pán)的容量?jī)?yōu)勢(shì)可能會(huì)變得沒(méi)有優(yōu)勢(shì)。

一旦HGST推出使用HAMR技術(shù)的產(chǎn)品，氦氣HAMR硬盤(pán)將會(huì)大大提高HGST的容量?jī)?yōu)勢(shì)。我們相信希捷也正在研究氦氣硬盤(pán)技術(shù)，它以前拒絕過(guò)這項(xiàng)技術(shù)，不過(guò)現(xiàn)在看來(lái)，這項(xiàng)技術(shù)將成為擊敗HGST容量?jī)?yōu)勢(shì)的重要因素。