大家都知道固態(tài)硬盤的速度快得驚人，但存儲(chǔ)容量(以及價(jià)格)卻似乎成為了它最大的“硬傷”。好消息是，通過所謂的“3D NAND”方案(基于現(xiàn)有的SSD技術(shù))——在存儲(chǔ)芯片的核心上堆疊更多的層位——英特爾和三星已經(jīng)解決了這個(gè)問題。此外，新款三星850 EVO已經(jīng)能夠在U盤大小的外殼中，封裝下120GB的存儲(chǔ)容量。當(dāng)然，大家的研究不會(huì)止步于此。

Crossbar(一家成立于2010年的初創(chuàng)企業(yè))，已經(jīng)在另一種替代品——“電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)記憶體”(resistive random access memory,簡(jiǎn)稱RRAM)上——投入了大量的時(shí)間和資金。

這是一種“非易失性”的隨機(jī)存取器，可以在切斷外接供電的情況下保存信息。相比之下，計(jì)算機(jī)上的DRAM內(nèi)存會(huì)在斷電后即丟失數(shù)據(jù)。

Crossbar的方法是將RRAM堆成一個(gè)立方體狀的結(jié)構(gòu)，并且在三個(gè)維度上展開。如此一來，在單芯片上提供1TB的存儲(chǔ)容量也在理論上有了可能。

不過這么做也會(huì)有點(diǎn)問題，那就是“電流泄露”會(huì)造成功耗大幅增加，甚至導(dǎo)致整塊“硬盤”根本無法使用。

巧妙的是，Crossbar采用了“多個(gè)并行傳導(dǎo)路徑來控制電流泄露，以限制陣列的最大規(guī)模和增加的功耗”的方式。

工程師將該技術(shù)稱作“單晶體管驅(qū)動(dòng)電子存儲(chǔ)單元”(1 Transistor Driving n Resistive memory cell)，簡(jiǎn)稱“1TnR”——其可以將高達(dá)2000個(gè)存儲(chǔ)單元連結(jié)到一起。

Crossbar稱，該公司已經(jīng)驗(yàn)證過這項(xiàng)避免電流泄露的技術(shù)，這意味著我們距離實(shí)際用上高容量驅(qū)動(dòng)器又進(jìn)了一步。更重要的是，該設(shè)計(jì)可承受上億次的使用周期，開關(guān)狀態(tài)切換的延時(shí)也只有50ns不到。

最后，鑒于該公司并未透露有哪些“阿爾法客戶”對(duì)這項(xiàng)技術(shù)感興趣，因此在2015年年末之前，我們或許還無法在消費(fèi)級(jí)零售市場(chǎng)見到相關(guān)產(chǎn)品。

另外，容量上去了，替代機(jī)械硬盤或許指日可待。