國內廠商使用的NAND閃存及DRAM內存全部來自進口，去年光是存儲芯片進口就高達896億美元，目前國內已經布局了三大存儲芯片基帶，紫光旗下的長江存儲目前專注于3D NAND閃存研發(fā)、生產。在今年8月份的FMS國際閃存會議上，長江存儲也將首次參加，CEO楊士寧將展示新型3D NAND閃存結構Xtacking，號稱I/O接口速度達到了DDR4內存的水平，同時具有業(yè)界領先的存儲密度。

根據長江存儲發(fā)布的公告，他們研發(fā)的Xtacking結構3D NAND閃存，將具有前所未有的I/O速度，從而能夠將UFS、SSD硬盤及企業(yè)級SSD等產品的性能提升到前所未有的程度。

除了高速度，Xtacking堆棧還實現了NAND與外圍電路的并行處理，這種閃存開發(fā)和制造工藝的模塊化將縮短新一代3D NAND閃存的上市時間，并為NAND閃存產品定制化提供了可能。

目前Xstacking閃存的具體信息還沒有公布，一切還要等楊士寧在8月7日的FMS會議上發(fā)表主題演講才能確定。

不過長江存儲所說的I/O接口是指NAND閃存的接口，目前NAND閃存使用的主流接口有Toggle、ONFi，最新的Toggle 3.0接口速度可達800 MT/s，ONFi 4.0也能達到800MT/s，不過這兩個接口標準在三星、美光、英特爾的3D NAND閃存上已經少有提及。

長江存儲所說的Xtacking能達到DDR4內存的速度指的就是I/O接口，不過DDR4公認的初始頻率就有2133MT/s，這個速度確實比ONFi、Toggle接口快得多，只不過現在這些都還是猜測，具體還要等長江存儲公開。

Xtacking閃存應該是長江存儲預研的新技術，目前還在申請專利，對新入NAND市場的公司來說積累技術是個艱苦但又不得不做的階段，而長江存儲目前及未來量產的3D NAND閃存似乎并沒有這么先進，此前公開展示的還是32層堆棧的64Gb核心閃存，之前接到過1萬片晶圓的NAND訂單，但主要是用來制造8GB存儲卡的，并不高端。

不過也有消息稱2019年長江存儲真正量產的時候，生產的3D NAND閃存將是64層堆棧的，這樣一來技術水平跟三星、美光、東芝等公司將縮短到2-3年時間。