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[導讀]其實DDR內存和GDDR顯存本來就是同宗同源,初期時DDR/GDDR、DDR2/GDDR2其實規(guī)范差異很小,頻率等參數(shù)基本上都是一致,兩者不分家,因此當時顯卡即可以用DDR2顆粒,也可以用GDDR2顯存顆粒。

NVIDIA新一代顯卡即將出爐,盡管對于個中細節(jié)并不了解細節(jié),但業(yè)界普遍認為無論是NVIDIA還是AMD,新一代顯卡搭載GDDR6顯存可能性極高。什么?我的電腦才用上DDR4,怎么顯卡就用GDDR6了?而且頻率還跑得那么高?是不是理不清它們之間的關系?下面就讓我們重新回顧一下顯存的發(fā)展歷史,展望下一代GDDR6顯存的一些新特性。

 

 

其實DDR內存和GDDR顯存本來就是同宗同源,初期時DDR/GDDR、DDR2/GDDR2其實規(guī)范差異很小,頻率等參數(shù)基本上都是一致,兩者不分家,因此當時顯卡即可以用DDR2顆粒,也可以用GDDR2顯存顆粒。

 

 

這個圖表是不是很熟悉?

 

 

DDR的帶寬發(fā)展遠遠跟不上GDDR

因此顯存與內存分道揚鑣是基于技術需求上的考慮,畢竟術業(yè)有專攻,GDDR顯存的推出就是更好地滿足GPU胃口,達到更好的性能。

但是后期由于超大規(guī)模集成電路技術飛速進步,加上人們對于顯卡性能日益增長的需求,普通的GDDR/GDDR2顯存已經不能滿足顯卡GPU高速交互數(shù)據需求,畢竟GPU沒有像CPU那樣設計有大容量L1、L2、L3緩存,而且GPU與顯存之間的數(shù)據交換非常頻繁,還是那種大容量的紋理貼圖數(shù)據,需要更高的顯存帶寬;其二是顯存可以直接集成于顯卡PCB上,不必像內存那樣做成獨立部件,又要考慮走線、信號傳輸延遲,可以專門做定向優(yōu)化,同時提高顯存位寬有利于減少顯存顆粒,在顯卡上實現(xiàn)更高容量的顯存集成。

 

 

DRAM針對不同用途的定向演化

GDDR(Graphics Double Date Rate SDRAM,雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器)

和DDR一樣都是采用2bit預取,同時可以在一個時鐘周期的上升沿和下降沿分別傳輸一次數(shù)據,這樣就實現(xiàn)單時間周期兩倍的傳輸速率。但此時GDDR頻率并不比DDR要高出多少,但是GDDR為了追求更高的頻率,在延遲要求上有所放寬。

GDDR顆粒為了追求大位寬,因此容量會特別小,那時候都是8×16Bit的規(guī)格,也就是一顆GDDR顯存才16MB大小,而同期的DDR內存顆??梢宰龅?2甚至64MB大小。

如果你浸淫在PC DIY界多年,你可能會記得以前DDR、GDDR顯存顆粒都是這種多腳的TSOP封裝,而且GDDR顯存顆粒體積也很大。

 

 

DDR內存

后期由于光刻工藝升級以及追求更加的封裝面積,存儲廠商在GDDR上實現(xiàn)了BGA封裝技術,也就是針腳不外露,全部藏在底部。同時實現(xiàn)了32bit的顯存位寬,并且一直延續(xù)至今。

GDDR2

技術細節(jié)同樣來自于DDR2,和DDR2一樣GDDR 2bit的預取升級到4bit,相比DDR1代可以將頻率翻倍。不過由于GDDR2跑得比DDR2還快,誕生時間早,工藝上可能稍微欠缺了一點,工作電壓高達2.5V,盡管等效工作頻率高達1GHz,但巨大的發(fā)熱量甚至媲美GPU核心,需要專門的散熱片輔助散熱。

 

 

DDR2內存

因此采用GDDR2顯存的顯卡都是曇花一現(xiàn),只有NVIDIA的FX5800 /5600 Ultra、ATI 9800Pro用過,很快就消息了,可以說GDDR2是個失敗的產品。

 

 

ATI 9800Pro

GDDR3

被GDDR2坑過后,大家都認為存儲標準制定方JEDEC跑得實在是太慢了,GDDR、GDDR2標準嚴重不符合顯卡GPU發(fā)展需求,NVIDIA、AMD開始聯(lián)手對GDDR3標準實施深入的指導,因此GDDR3可以說真正地與DDR3分道揚鑣,技術標準得到大幅度提升。

 

 

DDR3內存

深刻地認識到GDDR、DDR應用場景完全不同,因此設計之初就應該考慮到這個問題,考慮到高速讀寫需求,GDDR3設計有兩條獨立的數(shù)據選擇脈沖DQS,一條用于讀取,另一條用于寫入,這樣互不干擾,因此GDDR3讀寫數(shù)據速度要比GDDR2快多了,畢竟GPU存取數(shù)據頻繁程度高,GDDR3的新設計可以讓顯存效率大幅度提升。

盡管GDDR3保留GDDR2的4bit預取,但對GDDR3也修改I/O控制電路,新的電路設計可以最大程度降低電流,工作電壓也隨之下降到1.8V,間接地控制住功耗和發(fā)熱量,一舉解決GDDR2存在的弊端。

都說工藝是提升性能、頻率的良方,GDDR3憑借制程工藝紅利,從1GHz不斷攀升,一直走到了2.5GHz,因此其生命線長達五年才落幕。

 

 

奇夢達的GDDR3

 

 

三星的GDDR3

GDDR4

可能是GDDR3跑得太快,標準對于往后幾代GPU來說還算是夠用,加上NVIDIA與ATI之間競爭日益劇烈,就GDDR4標準制定分歧嚴重,最后NVIDIA明確表示不支持GDDR4,顯卡產品也并沒有采用,最終標準GDDR4由ATI一手操辦,但缺乏NVIDIA的支持,存儲廠商只有小規(guī)模試產,AMD也只有三款非主流產品采用了GDDR4顯存,因此GDDR4起不了什么浪花。

 

 

DDR4內存,已經和GDDR4內存沒有瓜葛了

事實上,GDDR4技術是有巨大進步,使用DDR3的8bit預取技術,這個也是NVIDA與ATI矛盾發(fā)展的開端。然后采用了Data Bus Inversion技術,提高數(shù)據精度、降低工作電壓至1.5V,繼續(xù)降低功耗。

而GDDR4頻率起步就是2GHz水平,其后雖然有更高頻率顆粒出現(xiàn),但是由于NVIDIA的不支持,市場太小導致生產成本高漲,加上AMD顯卡性能不如同期N卡,GDDR4很快就被歷史所遺忘。

 

 

AMD Radeon HD 2600 XT用的就是GDDR4

GDDR5

GDDR顯存的命運總是那么跌宕起伏,奇數(shù)代的顯存總是存活得更久,2012年GDDR5顯存終于登上舞臺,在繼承GDDR4的8bit預取,加上QDR雙數(shù)據總線、4路bank設計讓GDDR5顯存頻率突飛猛進,一路高歌,一并沖上8Gbps。

盡管GDDR5只有32bit的顆粒,但是它擁有兩條并行的數(shù)據總線,那么他的工作模式就相當靈活,可以自由在32bit、16bit一下工作,同時一個32bit顯存控制器也能控制兩個GDDR5顯存,實現(xiàn)了顯存容量翻倍。

根據當時NVIDIA 200系列顯卡上市情況來看,即便是采用相同GPU核心,使用GDDR5顯存會比GDDR3顯存,綜合性能提升20%以上,這個提升幅度相當驚人。也因此GDDR5能夠經久不衰,一直到1000系列還在用,而且頻率不斷在進步,達到8Gbps的巔峰。

 

 

三星GDDR5

GDDR5X

嗯?怎么突然冒出個GDDR5X,GDDR6哪里去了?這可不得怪JEDEC標準定制得太慢,NVIDIA已經忍不住了,聯(lián)合美光推出了這樣一個半代產品GDDR5X,還是高端NVIDIA顯卡獨占。

GDDR5X可以視為GDDR6的先行版,它繼續(xù)將預取從8bit提升至16bit,使用了改進版的QDR 4倍數(shù)據倍率技術,也就是說每個時鐘可以傳輸4bit數(shù)據!GDDR5X的電壓下降到1.35V。最終我們見到首批使用GDDR5X顯存頻率可以高達10Gbps,據說后續(xù)還會有14Gbps的版本面世。

 

 

美光GDDR5X

GDDR6

GDDR6標準終于姍姍來遲,即將到來的NVIDIA 11系列顯卡肯定是要用上它的。和GDDR5X一樣采用了16bit預取,這已經是被證實提高數(shù)據傳輸速度最為有效的方法。其次就是GDDR6終于一改以往GDDR1/2/3/4/5/5X只有一個讀寫通道問題,使用雙通道,雖然位寬變小了,但是實際上效率更高以后,會帶來明顯的性能提升。

其次就是顯存容量的進步,原本GDDR5最常見的都是8Gb單顆粒,而GDDR6標準下最高可以達到32Gb,換算過來單顆粒就是4GB,好處顯而易見,那就是低端顯卡單顆粒就搞定了,還要什么HBM2?高端3顆也就滿足12GB,推算頂級顯卡384bit顯存位寬計算,搭載12顆就能達到48GB,難怪NVIDIA絲毫沒有在消費級游戲卡上用HBM2顯存的意思。

 

 

GDDR6帶寬可以達到896GB/s,這是美光提供的數(shù)據

此外GDDR6修改了封裝方式,減少了底部接口數(shù)目,從190 ball減少至180ball,尺寸更小,這樣應用場景更為寬闊。

 

 

GDDR6優(yōu)勢——針腳少、尺寸更小、效能更高

目前全球三大存儲芯片廠商三星、海力士和美光都推出了自己的GDDR6計劃,不過由于技術實力差異和產品研發(fā)路線不同等因素,這三家的產品還存在一定的區(qū)別。

三星

 

 

期初三星在GDDR6上也是雷聲大雨點小,推出GDDR6的時機也要晚于其余兩家,但三星厚積薄發(fā),一推出的GDDR6顯存規(guī)格就是最高的,1Y nm工藝,單顆粒2GB,速度最高可達18Gbps,超過了JEDEC規(guī)范。

海力士

 

 

首批采用21nm工藝,單顆粒1GB容量,速度有10/12/14Gbps,也超過GDDR5X現(xiàn)時的極限,比較有趣的是,GDDR6電壓應該是1.35V,海力士研發(fā)出1.25V低電壓版的GDDR6顯存,估計是為筆記本設備研發(fā)的。

美光

 

 

美光是最早、也是最積極推進GDDR6顯存的存儲廠商,將會采用16nm工藝制造,也是單顆粒8Gb,速度10-14Gbps不等,而且也有對應多款1.25V低電壓版GDDR6顯存。

 

 

如今GDDR6顯存依靠高頻率、高容量和低功耗特性,將會在未來新一代游戲顯卡上大方異彩,為新架構顯卡帶來更強大的綜合性能,而且對比成本居高不下、封裝難度高的HBM 2顯存來講,GDDR6顯然更加實惠,更易于往中低端顯卡推廣。

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