盡管DRAM內(nèi)存顆粒在Q4季度開始下行，但是對服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等行業(yè)來說，內(nèi)存依然存在兩個問題——一是內(nèi)存容量總體還是比較低，二就是擴展大容量內(nèi)存成本還是很貴，如何實現(xiàn)數(shù)十TB級別的內(nèi)存容量還是個考驗。西數(shù)公司日前推出了Ultrastar DC ME200硬盤，準確來說這是一款內(nèi)存擴展硬盤(Memory Expansion Drive)，它使用了U.2或者HHHL AIC規(guī)格，但里面裝的不是NAND閃存芯片，而是DRAM內(nèi)存，4U服務(wù)器下最多可以擴展96TiB的內(nèi)存出來。

西數(shù)Ultrastar DC ME200硬盤是給數(shù)據(jù)中心等市場用的，其目標就是減少傳統(tǒng)內(nèi)存、增加Ultrastar DC ME200硬盤來實現(xiàn)容量大幅增長、TCO總成本降低。為了更好地理解這個概念，西數(shù)舉了一個例子，如下所示：

傳統(tǒng)方式下服務(wù)器配置1.5TB DRAM內(nèi)存，如果使用Ultrastar DC ME200硬盤，內(nèi)存容量提升到2TiB的同時還能減少25%的TCO成本，如果是同樣的成本下，使用Ultrastar DC ME200硬盤組合可以實現(xiàn)3TiB內(nèi)存。

降低成本、提升容量的同時，Ultrastar DC ME200硬盤有什么代價嗎?有的，大家應(yīng)該看得出來將DRAM內(nèi)存從DIMM插槽轉(zhuǎn)移到PCIe通道之后性能會受到影響的，畢竟NVMe支持的PCIe 3.0 x4帶寬也才4GB/s，而DIMM內(nèi)存的帶寬可是數(shù)十GB/s起的。不過西數(shù)公布的測試顯示Ultrastar DC ME200內(nèi)存硬盤性能雖然會下降，但是內(nèi)存+Ultrastar DC ME200硬盤的組合的總性能降幅也就是100%減少到91%或者85%，具體取決于配置情況，這個降幅能不能接受要看廠商自己的需求了。

具體到Ultrastar DC ME200硬盤上來， 其具體規(guī)格如下：

Ultrastar DC ME200硬盤有U.2 15mm或者HHHL規(guī)格的AIC兩種形式，支持PCIe 3.0 x4通道，待機功耗9W，活動功耗25W，容量有1Tib、2TiB及4TiB三種，4U服務(wù)器中8路CPU最多可配置96TiB的擴展內(nèi)存，支持英特爾Xeon E5/E7 v3及Xeon銅銀金鉑處理器。

至于可靠性，Ultrastar DC ME200硬盤本身使用的就是DRAM內(nèi)存顆粒(更正：The Register報道稱內(nèi)部使用的是15nm MLC閃存)，可靠性要比普通閃存高太多了，數(shù)據(jù)寫入壽命方面已經(jīng)是PBW而非TBW了，4TiB型號擁有78PBW的數(shù)據(jù)壽命，同時質(zhì)保三年。

價格什么的也沒有提及，目前已經(jīng)開始送樣，具體上市時間還沒公布。