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[導(dǎo)讀]本周舉行的ARM技術(shù)大會(huì)上,IBM半導(dǎo)體研究與發(fā)展中心副總裁Gary Patton做了一場(chǎng)內(nèi)容豐富、信息量很大的主題演講。演講題為“20納米及未來(lái)的半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新”。Patton談到了光刻、材料和未來(lái)設(shè)備的現(xiàn)狀。下面

本周舉行的ARM技術(shù)大會(huì)上,IBM半導(dǎo)體研究與發(fā)展中心副總裁Gary Patton做了一場(chǎng)內(nèi)容豐富、信息量很大的主題演講。演講題為“20納米及未來(lái)的半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新”。Patton談到了光刻、材料和未來(lái)設(shè)備的現(xiàn)狀。下面是演講內(nèi)容:

1. EUV還沒(méi)有準(zhǔn)備好

很多一線芯片廠商已經(jīng)由193nm“干”蝕刻法轉(zhuǎn)為45納米制程的193nm浸潤(rùn)蝕刻。英特爾公司是例外,這家芯片巨頭轉(zhuǎn)向32nm浸潤(rùn)蝕刻。芯片未來(lái)很可能在28nm和22nm節(jié)點(diǎn)采用雙模技術(shù)實(shí)現(xiàn)193nm浸潤(rùn)蝕刻。

15/14nm節(jié)點(diǎn),行業(yè)將會(huì)倚賴EUV光刻——13nm波長(zhǎng)的軟性X射線技術(shù)。

Patton在演講中表示,“EUV本來(lái)寄望于14nm或11nm節(jié)點(diǎn),15/14nm的時(shí)候如果技術(shù)就緒,EUV也將很有優(yōu)勢(shì)。”

在簡(jiǎn)短的采訪中,Patton說(shuō)EUV尚未成熟。這不是什么新聞。多年來(lái),EUV由于光源、掩模、檢查工具的問(wèn)題而延遲。

讓人吃驚的地方在于,到現(xiàn)在至少也該有些關(guān)于EUV現(xiàn)狀的模糊概念了。時(shí)間不等人。三星電子希望在2012年將EUV用于存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)。EUV設(shè)備的生產(chǎn)商ASML正努力在此時(shí)限之前推出自己的第一批產(chǎn)品。很多人都不認(rèn)為ASML能夠按期交貨,這意味著三星等公司暫時(shí)還將繼續(xù)使用普通光刻。

2.計(jì)算光刻(computational lithography)

計(jì)算光刻已受到了極大關(guān)注,但該技術(shù)曾經(jīng)被認(rèn)為只不過(guò)是科研項(xiàng)目,新聞報(bào)道也多于實(shí)際的應(yīng)用。

現(xiàn)在為了將光刻延伸到22和20nm以下,IBM、Intel甚至EDA廠商都開(kāi)始重視計(jì)算光刻技術(shù)了。每家廠商對(duì)該技術(shù)都有不同的叫法,在市場(chǎng)上也引起了一些混亂。

Patton表示,無(wú)論如何,22和20nm節(jié)點(diǎn),芯片廠商可能不得不求助于包括整合式顯影光源優(yōu)化(SMO)、像素化掩模、定制透鏡在內(nèi)的計(jì)算光刻技術(shù)。

  3. 高-K金屬柵暫無(wú)進(jìn)展

2007年11月,IBM與英特爾分別公布了自己用于gate stack的高-K/金屬柵極技術(shù)。今天,英特爾將兩代高-K投入生產(chǎn)。與之相反的是,業(yè)界還在等待IBM及其合作伙伴推出基于高-K的芯片。

IBM合作伙伴之一的三星現(xiàn)在宣布目前采用高-K介質(zhì)的32納米工藝制程正在醞釀。三星官方否認(rèn)了面臨困難的傳言,表示高-K技術(shù)工作的“很好”。

IBM的另一家合作伙伴AMD公司在2011年上半年之前不會(huì)推出基于高-K的芯片。傳言說(shuō)AMD推出高-K技術(shù)芯片的時(shí)間延后到2011年下半年。這里有點(diǎn)不協(xié)調(diào),在演講中,Patton將高-k/金屬柵極技術(shù)是堆棧門(mén)的啟動(dòng)者,但卻沒(méi)有提供這種技術(shù)的研究進(jìn)度。

4. 一個(gè)時(shí)代的終結(jié)?

業(yè)界早已明確,需要一個(gè)新的突破來(lái)延長(zhǎng)CMOS時(shí)代。Patton相信14nm制程需要一種新的設(shè)備結(jié)構(gòu)(不同于今天的平面結(jié)構(gòu))才能讓CMOS煥發(fā)活力。

像以前一樣,業(yè)內(nèi)有多個(gè)參與者卻沒(méi)有領(lǐng)導(dǎo)者。,F(xiàn)inFETs和下一代設(shè)備等諸多可能性中,以及IBM在演講中提到的SOI和超薄SOI,已經(jīng)喪失活力。FinFET生產(chǎn)過(guò)程復(fù)雜,新的SOI設(shè)備也面臨挑戰(zhàn)。

5. 沒(méi)被提及的450-mm

Patton在演講中沒(méi)有提到450-mm。但競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾近期已經(jīng)宣布建立一家新晶圓廠,該廠已為450-mm做好準(zhǔn)備。很顯然,業(yè)界現(xiàn)階段沒(méi)準(zhǔn)備要轉(zhuǎn)向450-mm,但英特爾正在不斷地助推轉(zhuǎn)向步幅。

IBM的一些合作伙伴也加入了進(jìn)來(lái)。轉(zhuǎn)向450-mm需要承擔(dān)很多研發(fā)費(fèi)用與風(fēng)險(xiǎn)。如果加工設(shè)備生產(chǎn)商愿意設(shè)計(jì)450-mm設(shè)備,英特爾就必須承擔(dān)修補(bǔ)瑕疵的痛苦工作。所以,讓英特爾來(lái)承擔(dān)風(fēng)險(xiǎn)吧。

另一方面,IBM和自己的合作伙伴——GlobalFoundries與三星都不希望被甩開(kāi)太遠(yuǎn)。三星就在努力向450-mm前進(jìn)。像英特爾一樣,三星也想要450-mm。而GlobalFoundries的熱情就非常有限了。

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