導(dǎo)語：Ivy Bridge的開蓋風(fēng)潮似乎還在昨天，Haswell又“慘遭毒手”了。兩代產(chǎn)品同樣都是22nm 3D晶體管工藝，封裝內(nèi)部硅脂都是很廉價(jià)的。Core i7-3770K被普遍發(fā)現(xiàn)如果開蓋換用更好的硅脂和散熱器，核心溫度能夠降低一大截。盡管也有試驗(yàn)得出了不同的結(jié)論，但一般來說，Ivy Bridge確實(shí)存在“開蓋有獎(jiǎng)”的問題，嚴(yán)重程度基本看人品。

那么，Haswell能夠避免這個(gè)問題么？前期情況看比較難，工藝、硅脂沒什么變化的同時(shí)，Haswell還整合了電壓控制器，并引入了AVX2、TSX指令集，一級(jí)、二級(jí)緩存的數(shù)據(jù)帶寬也翻了一番，都導(dǎo)致處理器功耗和溫度進(jìn)一步提升，很多型號(hào)規(guī)格變化不大但是熱設(shè)計(jì)功耗增加不少就是明證，一時(shí)間關(guān)于Haswell高溫的爭(zhēng)議甚囂塵上。

日本同學(xué)此前曾經(jīng)撬開了Core i7-4770K的頂蓋，但還沒做任何測(cè)試。PCEVA論壇的royalk又開始了他的新一輪冒險(xiǎn)。

測(cè)試的對(duì)象是一顆正式零售版的4770K，但遺憾的是，零售版的4770K滿大街都是雷U，絕大多數(shù)超到4.5GHz都無法穩(wěn)定通過拷機(jī)，完全不如工程樣品。又讓Intel給騙了。

而測(cè)試的這一顆更是大雷，開蓋前4.5GHz都不穩(wěn)定，只能跑4.4GHz，核心電壓為1.25V，外部供電輸入電壓是默認(rèn)的1.8V。內(nèi)存運(yùn)行在DDR3-2666 11-13-12，電壓1.172V。

royalk去年的測(cè)試發(fā)現(xiàn)Ivy Bridge頂蓋對(duì)導(dǎo)熱能力影響不大，溫差不超過0.5℃，所以關(guān)鍵還是在內(nèi)部硅脂。這次他就省略了CPU核心直接接觸散熱器底座的部分，直接開蓋并換上酷冷博Liquid Ultra液態(tài)金屬作為導(dǎo)熱介質(zhì)。

測(cè)試平臺(tái)配置：

處理器：Intel Core i7-4770K

主板：技嘉GA-Z87X-OC

內(nèi)存：芝奇F3-17000CL11D-8GBXL

顯卡：微星N660 TwinFrozr 2GD5/OC

硬盤：浦科特PX-128M2P

電源：安耐美Revolution 85+ 1050W

散熱器：貓頭鷹NH-U14S

CPU頂蓋與散熱器外部導(dǎo)熱介質(zhì)：采融Megahelems Rev.B原配硅脂

CPU核心與頂蓋內(nèi)部導(dǎo)熱介質(zhì)：去年開3770K頂蓋用剩下的酷冷博Liquid Ultra

測(cè)試環(huán)境：全程空調(diào)26℃、裸機(jī)

注意：以下行為非常危險(xiǎn)，首先會(huì)讓你的CPU失去保修，其次稍不注意如果損傷核心，就會(huì)讓你的CPU一命嗚呼，所以大家可以圍觀，切勿效仿！刊登本文僅出于技術(shù)探討目的，對(duì)任何因打開CPU頂蓋而造成的問題不負(fù)責(zé)任！

零售版Core i7-4770K，生產(chǎn)周期L306B334。

開蓋工具是吉列剃須刀的刀片。友情提示：千萬不要用鈍刀片或者厚刀片去切CPU的封膠，否則很容易劃傷PCB，后果就是CPU直接掛掉。為了保險(xiǎn)起見，多買幾片是不錯(cuò)的選擇。

還是和對(duì)待3770K一樣切開頂蓋四周的黑膠。注意不要用太大力道。切左邊和上下的時(shí)候不要切太深，以免碰到核心和電容，當(dāng)然也得小心自己的手指。

完工后近距離特寫。毫無疑問是和IVB一樣很普通的硅脂。

頂蓋背后的硅脂也還是又干又硬的，和IVB的一樣。

清理殘留硅脂和黑膠，可以看到比IVB多了一排Vccin輸入濾波電容。

Haswell的內(nèi)核很狹長(zhǎng)。

Liquid Ultra液態(tài)金屬硅脂。

薄薄地涂一層。不能涂太厚，否則反而會(huì)影響散熱效果。

裝回頂蓋的時(shí)候有個(gè)小技巧，可以在核心周圍粘一些雙面膠，受壓力和受熱后還會(huì)讓PCB、頂桿粘得很牢，再次開蓋也會(huì)很容易。

最后擦干凈頂蓋上的硅脂和黑膠，蓋回，大功告成。

上機(jī)，準(zhǔn)備測(cè)試。

測(cè)試運(yùn)行20分鐘的Prime 95 27.9 Blend模式，第10分鐘起開始記錄溫度，20分鐘之后截圖。Small FTT模式固然會(huì)讓溫度更高，但是開蓋前直接就100度了，會(huì)自動(dòng)降頻，就不能和開蓋之后公平對(duì)比了。

開蓋前：燒機(jī)20分鐘，四個(gè)核心各自平均溫度為78.5、78.4、78.2、77.1℃，RealTemp錄得最高溫度為88℃。

開蓋后：燒機(jī)20分鐘，四個(gè)核心各自平均溫度為63.1、65.5、66.2、65.9℃，RealTemp錄得最高溫度為73℃。

對(duì)比圖：很明顯了，至少這一顆4770K開蓋換硅脂后核心溫度大幅降低了12-15℃，平均只有65℃左右，最高也只有70多，再次證明了Intel的坑爹做法。

此外，開蓋之后可以穩(wěn)定跑4.5GHz。Vccin 2V、Vcore 1.315V下拷機(jī)20分鐘溫度最高也只有80℃，而開蓋前很快就會(huì)90℃。

不管怎么說，22nm 3D晶體管工藝雖然先進(jìn)，但是直接導(dǎo)致晶體管和內(nèi)核太小、太集中，反而不好散熱，這是新工藝不可避免的缺陷，而且估計(jì)會(huì)在下一代14nm上更加嚴(yán)重(不知道Broadwell跳票到2015年是否與此有關(guān))。

Intel偏偏此時(shí)又放棄釬焊，改而在內(nèi)核與頂蓋之間使用廉價(jià)硅脂，進(jìn)一步影響了散熱，導(dǎo)致溫度偏高、超頻困難，不知道怎么想的。

總之，雖然這次只是個(gè)例測(cè)試，但已經(jīng)足以證明老毛病依然在Haswell上存留。至于該怎么辦，如果你只是普通用途，就不要糾結(jié)了，日常沒什么影響的，但如果你想大幅超頻(這個(gè)還不如去用工程樣品)，或者經(jīng)常執(zhí)行高負(fù)載任務(wù)、對(duì)溫度很敏感，又或者有完美主義強(qiáng)迫癥，又或者喜歡折騰和冒險(xiǎn)，那就勇敢地去開吧騷年。