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[導(dǎo)讀]全球領(lǐng)先的功率管理技術(shù)公司IR近日推出專為每個(gè)通道高達(dá)500W的D類音頻應(yīng)用開發(fā)的200V控制集成電路IRS20124S。該器件集成的可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間、雙向過流感應(yīng)等功能可保護(hù)放大器系統(tǒng)。此外,這些特性還可以使音頻設(shè)計(jì)師簡(jiǎn)

全球領(lǐng)先的功率管理技術(shù)公司IR近日推出專為每個(gè)通道高達(dá)500W的D類音頻應(yīng)用開發(fā)的200V控制集成電路IRS20124S。該器件集成的可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間、雙向過流感應(yīng)等功能可保護(hù)放大器系統(tǒng)。此外,這些特性還可以使音頻設(shè)計(jì)師簡(jiǎn)化電路并減少家庭影院娛樂系統(tǒng)、影音接收機(jī)和汽車音響系統(tǒng)中D類音頻放大器的元件數(shù)量。

內(nèi)置的可選死區(qū)時(shí)間生成電路可對(duì)穩(wěn)定性進(jìn)行熱補(bǔ)償,并具有噪聲和電源電壓波動(dòng)免疫功能,以改善總諧波失真THD。IRS20124S內(nèi)置雙向電流感應(yīng)和集成的關(guān)斷功能,在出現(xiàn)揚(yáng)聲器引線短路等過流狀況時(shí)保護(hù)輸出MOSFET。

IR消費(fèi)及工業(yè)產(chǎn)品部副總裁譚仲能指出:“使用這一新型D類音頻集成電路來驅(qū)動(dòng)音頻MOSFET(如IRF6665),電路設(shè)計(jì)人員可以減少系統(tǒng)占板空間,改進(jìn)PCB布局,降低EMI和改善熱特性?!?

譚先生認(rèn)為,“D類音頻電路需要承受高頻開關(guān)的高電壓變化,IR專門為開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的MOSFET和高壓控制集成電路非常適合數(shù)字音頻系統(tǒng)的需要。其針對(duì)特殊應(yīng)用的器件具有更高的效率,能增加功率密度并具有更好的音頻性能?!?

設(shè)計(jì)支持

在IR音頻網(wǎng)頁http://www.irf.com/product-info/audio/可訪問相關(guān)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)表、產(chǎn)品選擇指南和D類音頻應(yīng)用筆記的鏈接。

供貨和報(bào)價(jià)

新款I(lǐng)RS20124SD類音頻高壓控制集成電路現(xiàn)已供貨。該器件符合無鉛和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。IRS20124S為14引腳SOIC封裝,每萬件的訂貨量單價(jià)1.50美元,價(jià)格會(huì)有所變動(dòng)。產(chǎn)品基本規(guī)格如下:


產(chǎn)品編號(hào)封裝偏置
電壓輸出
電壓Io+/-可選的
傳播延遲死區(qū)
時(shí)間
IRS20124S14引腳
SOIC最大值
200V10-20V典型值1A/1.2A典型值
70納秒典型值
15/25/35/45納秒

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