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[導(dǎo)讀]面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營(yíng)的壓力,東芝(Toshiba)下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)32納米的NAND Flash制程技術(shù),東芝原本預(yù)計(jì)32納米制程產(chǎn)量,在年底可達(dá)產(chǎn)能30%,但以目前進(jìn)度來(lái)看,勢(shì)必會(huì)延后量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn),其控制芯片供應(yīng)商

面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營(yíng)的壓力,東芝(Toshiba)下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)32納米NAND Flash制程技術(shù),東芝原本預(yù)計(jì)32納米制程產(chǎn)量,在年底可達(dá)產(chǎn)能30%,但以目前進(jìn)度來(lái)看,勢(shì)必會(huì)延后量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn),其控制芯片供應(yīng)商群聯(lián)則表示,支持東芝32納米的所有產(chǎn)品線都已經(jīng)準(zhǔn)備妥當(dāng),包括隨身碟和記憶卡的控制芯片皆然,隨時(shí)可進(jìn)入量產(chǎn)階段。此外,群聯(lián)8月營(yíng)收將持續(xù)成長(zhǎng),估計(jì)月增率可達(dá)10%以上,8月毛利率可微幅高于7月,整體第3季獲利持續(xù)上揚(yáng)。

東芝43納米制程量產(chǎn)成熟,下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)32納米制程,降低生產(chǎn)成本,同時(shí)間三星電子(Samsung Electronics)也積極轉(zhuǎn)進(jìn)35納米制程,以力抗英特爾/美光陣營(yíng)早已量產(chǎn)的34納米制程技術(shù),顯示英特爾/美光、三星和東芝3陣營(yíng)較勁的意味越來(lái)越濃厚。

東芝轉(zhuǎn)進(jìn)32納米制程將從MLC芯片切入生產(chǎn),原本東芝預(yù)期,32納米制程將在7月可進(jìn)入量產(chǎn)階段,年底前有機(jī)會(huì)達(dá)30%的投產(chǎn)幅度,2010年第1季更將挑戰(zhàn)50%,但以目前進(jìn)度來(lái)看,東芝的32納米制程量產(chǎn)速度恐會(huì)持續(xù)延后,惟盡快導(dǎo)入32納米的目標(biāo)不變。

隨著東芝積極轉(zhuǎn)進(jìn)新一代的32納米制程技術(shù),合作伙伴群聯(lián)也進(jìn)入備戰(zhàn)狀態(tài)。群聯(lián)表示,目前支持32納米制程的控制芯片隨時(shí)可以進(jìn)入量產(chǎn),包括用在隨身碟和快閃記憶卡的控制芯片都已備妥,相較于上一代43納米制程的控制芯片,在設(shè)計(jì)架構(gòu)上不需要做太大的更動(dòng),因此可設(shè)計(jì)在同1顆IC上。

近期NAND Flash市場(chǎng)較為沈寂,群聯(lián)表示,整體市況還不錯(cuò),快閃記憶卡的終端需求比隨身碟強(qiáng)勁,預(yù)計(jì)8月營(yíng)收可望較7月成長(zhǎng),毛利率也同步上揚(yáng),支持東芝3-bit-per-cell技術(shù)的控制芯片也準(zhǔn)備好了,隨時(shí)可大量出貨。

近期整個(gè)NAND Flash市場(chǎng)的成卡供應(yīng)量不多,主要是三星和東芝的成卡供應(yīng)量銳減,NAND Flash芯片都以供應(yīng)大客戶蘋果(Apple)為主,導(dǎo)致記憶卡市場(chǎng)呈現(xiàn)小幅缺貨的狀態(tài),而成卡價(jià)格日前也開始跟上NAND Flash芯片的走勢(shì),開始往上調(diào),因此下游廠的毛利率可持續(xù)走揚(yáng),而成卡缺貨的狀態(tài)可能要持續(xù)好一陣子。

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