（全球TMT2022年10月18日訊）10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過(guò)驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon?）移動(dòng)平臺(tái)上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過(guò)...

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，在高通脹影響下，消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟，旺季不旺，第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買(mǎi)方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購(gòu)，導(dǎo)致供應(yīng)商庫(kù)存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供應(yīng)...

近日，一個(gè)存在于Windows Mark of the Web (MotW)中的零日漏洞被發(fā)現(xiàn)，并正在被攻擊者積極利用。但有趣的是，在微軟官方還沒(méi)有對(duì)該漏洞做出修復(fù)之前，第三方平臺(tái)0patch就提供了該漏洞的修復(fù)補(bǔ)丁。據(jù)...

- 在驍龍（Snapdragon）移動(dòng)平臺(tái)上，三星以8.5Gbps的運(yùn)行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗(yàn)證，為L(zhǎng)PDDR（移動(dòng)端）內(nèi)存打開(kāi)了新市場(chǎng)。 深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日，三...

10月5日訊當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二(10月4日)，美國(guó)最大內(nèi)存芯片制造商美光科技在官網(wǎng)宣布，公司計(jì)劃在紐約州中部打造一個(gè)巨型晶圓廠，以促進(jìn)在美存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)。

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會(huì)上公布了未來(lái)的3大規(guī)劃方向，其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無(wú)晶圓廠的整體解決方案。

據(jù)韓媒報(bào)道，在日前舉辦的行業(yè)活動(dòng)上，IDC韓國(guó)副總裁Kim Su-gyeom預(yù)計(jì)，存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示，今年的市場(chǎng)需求較最初預(yù)期更為糟糕，預(yù)計(jì)來(lái)年三季度DRAM和NAN...

與其他類型的半導(dǎo)體相比，存儲(chǔ)芯片的競(jìng)爭(zhēng)廠商數(shù)量更多，而且芯片本身的差異化程度較低，這使得存儲(chǔ)芯片更加商品化，對(duì)需求變化也就更加敏感。存儲(chǔ)芯片通常是第一個(gè)感受到需求變化并出現(xiàn)價(jià)格下跌的組件。

半導(dǎo)體景氣下行已延伸至最上游的硅晶圓材料領(lǐng)域。近期8寸硅晶圓市況“急轉(zhuǎn)直下”，后續(xù)12寸硅晶圓產(chǎn)品也難逃沖擊。預(yù)期客戶端于第四季度到明年第一季度將調(diào)整庫(kù)存。有部分硅晶圓廠商已同意一些下游長(zhǎng)約客戶的要求，可延后拉貨時(shí)程，但...

愛(ài)思開(kāi)海力士·英特爾DMTM半導(dǎo)體(大連)有限公司非易失性存儲(chǔ)器項(xiàng)目在大連金普新區(qū)舉行開(kāi)工儀式。該項(xiàng)目將建設(shè)一座新的晶圓工廠，從事非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商SK海力士已在中國(guó)市場(chǎng)深...