按SEMI近期的研究報告指出，中國力圖收窄IC在消耗及產(chǎn)出之間的鴻溝，預計在未來的十年內(nèi)中國的半導體設備與材料市場將增加一倍。

由假設的鴻溝數(shù)字出發(fā)，由于中央與地方政府都相應出臺了鼓勵政策，促進在未來十年中設備及材料的采購會大幅增加。

除此之外，隨著中國的芯片制造與封裝測試設備的大量進口也大大促進了中國研發(fā)和工藝技術人材的需求迅速增加。

自1997年中國半導體市場超過美國與日本之后，中國的政策制訂者開始極力強調(diào)要縮小供需之間的鴻溝。在2008年中國消費了全球芯片的1/4，但是國內(nèi)產(chǎn)出僅56億美元，相當于國內(nèi)需求的8%。

到2011年中國的IC市場有望增加到850億美元，相應的IC產(chǎn)出為82億美元,近10%(取自iSuppli，ICInsight及CSIA數(shù)據(jù))。到2013年時中國IC市場將增大到占全球IC市場的35%。

在過去由于計算機、手機及汽車電子等存在供需之間的不平衡促進了中國在半導體方面的投資增加，因而產(chǎn)能日益擴大。

然而有些觀察家已經(jīng)看到在奧運會之后中國經(jīng)濟可能轉(zhuǎn)緩，或者是對于全球經(jīng)濟的影響程度越來越顯著。在全球經(jīng)濟仍在恢復之中，中國經(jīng)濟以超高速的增長，國際貨幣基金會IMF預計中國的GDP在2009年達8.5%及在2010年將有9%的增長。

在2008年11月中國政府推出4萬億經(jīng)濟刺激計劃(5860億美元)，這批資金的使用將延續(xù)到2010年。除此之外在宏觀經(jīng)濟中，中國政府也仍是中國半導體業(yè)的最大投資者。

在過去5年中，中國政府在新建芯片生產(chǎn)線中至少已經(jīng)資助了70億美元。在未來的5年中地方政府可能繼續(xù)成為中國IC生產(chǎn)線建設的主要投資主體。展望未來，到2020年中國政府可能投資300億美元在半導體方面(包括半導體設備與材料)，包括軟件及高端制造設備中。

在2009年中國政府己投資總計達26億美元在VLSI設備和材料的研發(fā)中，其中有54個項目,包括工藝技術、設備、材料、備件和其它半導體制造研究。

涉及的項目中有90納米量產(chǎn)，65納米引導線及45納米工藝技術研發(fā)，內(nèi)容涵蓋前道及后道制造,，計劃直到2012年。從2008到2020年中國的國家級研究發(fā)展規(guī)劃將繼續(xù)集中在核心技術研究與開發(fā)，包括軟件和高端芯片的研制。

中國為了縮小鴻溝而付出的努力將促進中國的設備和材料市場大幅增加，對于全球供應商都是十分重要的。

按SEMI的全球生產(chǎn)線預測報告(World Fab Forecast)，在2010年中國在前道生產(chǎn)線的投資，超過20個廠(廠房與設備)將增長67%，總計達20億美元。顯然這是包括新、二手及一切自制設備的采購總量。

到2010年中國半導體的安裝產(chǎn)能將增加到每月超過150萬片，相當于全球硅片總產(chǎn)能的10%(依8英寸等值計)。

在材料方面，在2010年中國的消費預計達37.5億美元，比09年上升15%，超過歐洲，接近美國的支出(釆自SEMI的Consensue預測)。