通富微電今日公告，為深化與富士通半導體株式會社的合作，促進雙方的科技創(chuàng)新和進步，擬在合作、平等、共贏的基礎上建立合作研發(fā)平臺，利用半導體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的機遇加快先進封裝技術成果的轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)化。2010年8月30日，雙方簽署了《合作設立研發(fā)中心意向書》。
資料顯示，富士通半導體與通富微電第二大股東富士通中國同為富士通株式會社的全資子公司，同受富士通株式會社控制，為公司關聯(lián)方。
據(jù)公告，研發(fā)中心設在通富微電，研發(fā)中心設主任一名，副主任兩名。主任由通富微電董事長石明達擔任，副主任分別由雙方各推薦一名擔任。富士通半導體委派3-4 名研發(fā)人員在研發(fā)中心工作。富士通半導體委派人員的薪資待遇參照現(xiàn)行委派人員執(zhí)行。
同時，雙方共同協(xié)商制定研發(fā)中心的研發(fā)戰(zhàn)略、方向及項目。在今后1-2 年內(nèi)，研發(fā)的重點是Fan-Out WLP、Low Cost FCBGA等技術。研發(fā)過程中形成的專利技術根據(jù)貢獻度確定專利所有，雙方均可使用該項專利技術。
對于此次合作，公司表示，研發(fā)中心的設立，將加大研發(fā)新型封裝產(chǎn)品和技術的力度，有利于公司綜合技術水平的提升，有利于加快先進封裝技術成果的轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)化。同時，對公司優(yōu)化產(chǎn)品結構，實現(xiàn)產(chǎn)品技術處于行業(yè)領先地位的目標也會產(chǎn)生實質(zhì)性的積極作用。
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