韓半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)21日上午發(fā)布2011年第2季財(cái)報(bào)。海力士第2季營(yíng)收2.76兆韓元(約26.15億美元)，營(yíng)業(yè)利益4,470億韓元(約4.24億美元)，與2010年同期相比營(yíng)收減少16%、營(yíng)業(yè)利益減少56%，然與2011年第1季相比，雖然營(yíng)收減少1%，但營(yíng)業(yè)利益則增加了38%。

海力士表示，以美元計(jì)算的營(yíng)收較第1季增加，然因匯率問題而出現(xiàn)較第1季減少的情況。

海力士表示，第2季初雖然面臨淡季，但日本發(fā)生震災(zāi)后，各廠擔(dān)憂日本供貨短缺，而使需求短暫攀升，然而需求未達(dá)到預(yù)期，第2季中后期營(yíng)收快速惡化等，市場(chǎng)變動(dòng)相當(dāng)大。

實(shí)際上第2季DRAM及NANDFlash等平均銷售價(jià)格與第1季相比，DRAM減少1%、NAND則暴跌19%。出貨量方面，DRAM維持與第1季相同水平，NAND則增加約36%。

海力士相關(guān)人員表示，下半年將進(jìn)入旺季，但因歐洲財(cái)政危機(jī)及全球景氣恢復(fù)趨勢(shì)鈍化，整體經(jīng)濟(jì)仍存在許多不透明的情況。海力士將會(huì)致力于微細(xì)制程轉(zhuǎn)換及架構(gòu)良好的產(chǎn)品收益結(jié)構(gòu)，持續(xù)擴(kuò)大與他廠競(jìng)爭(zhēng)力的差距。

對(duì)于微細(xì)制程，海力士透露，2011年第1季投入生產(chǎn)的30納米等級(jí)DRAM比重至年底將擴(kuò)大至40%。而第2季末比重約占70%的行動(dòng)裝置、繪圖、服務(wù)器用DRAM等高附加價(jià)值產(chǎn)品，也將持續(xù)維持其比例。

海力士將加快NANDFlash轉(zhuǎn)換微細(xì)制程的速度，第2季末占比重約50%的20納米等級(jí)產(chǎn)品，年底將擴(kuò)大至約70%，次世代20奈米產(chǎn)品也計(jì)劃于2011年下半投入量產(chǎn)。

海力士與日廠東芝(Toshiba)為確保在次世代存儲(chǔ)器市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)，合作研發(fā)STT-MRAM等，正持續(xù)為未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)力做準(zhǔn)備。