21ic訊 賽靈思公司今天宣布推出業(yè)界首款面向All Programmable UltraScale™器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案，每秒數(shù)據(jù)速率高達2400 Mb。UltraScale器件采用ASIC級架構，可支持大量I/O和超大存儲帶寬，并能夠大幅降低功耗和時延。賽靈思穩(wěn)定可靠的內(nèi)存解決方案可加速設計進程，并增加了對DDR4接口的支持。

UltraScale器件中的新增DDR4內(nèi)存接口可提供超過1Tb/s的存儲帶寬，能夠滿足視頻成像與處理、流量管理和高性能計算等重要應用領域新一代前沿系統(tǒng)設計對海量數(shù)據(jù)流快速處理以及海量內(nèi)存的需求。從DDR3 升級為DDR4后，應用的讀取時延減少了30%，而且在相同數(shù)據(jù)速率下大幅降低了功耗。更富吸引力的是，從每秒1866 Mb的DDR3升級到每秒2400 Mb的DDR4后，客戶不僅提升了30%的數(shù)據(jù)速率，同時還能削減20%的功耗。

這些DDR4內(nèi)存接口經(jīng)過嚴格系統(tǒng)條件下(例如變化的電壓和溫度、系統(tǒng)抖動)高難度數(shù)據(jù)模式的測試，可確保為實際系統(tǒng)部署預留工作裕量。賽靈思的SelectIO™接口符合JESD79-4 DDR4 SDRAM標準，有助于確保獲得最大時序裕量。為保證最佳信號完整性，I/O技術還包括傳輸預加重、接收均衡、低抖動時鐘和噪聲隔離設計技術。

賽靈思公司FPGA產(chǎn)品管理與市場營銷高級總監(jiān)Dave Myron指出;“賽靈思現(xiàn)已開始交付高性能DDR4接口，支持客戶采用當今最先進的內(nèi)存解決方案進行設計。而領先的PC制造商們在今年較晚時間才會剛剛開始低線速率產(chǎn)品的推出。”

美光(Micron)公司DRAM市場營銷副總裁Robert Feurle表示：“當今的客戶不斷要求使用更高的存儲帶寬支持更大規(guī)模數(shù)據(jù)密集型的應用，通過與賽靈思的強大合作，美光的DDR4內(nèi)存技術和賽靈思的UltraScale器件相結合，致力于為我們的共同客戶提供市場領先的解決方案。”

供貨進程

支持DDR4內(nèi)存接口的UltraScale器件現(xiàn)已發(fā)貨。