楷登電子近日正式宣布與臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(TSMC)取得的多項(xiàng)合作成果，進(jìn)一步強(qiáng)化面向移動(dòng)應(yīng)用與高性能計(jì)算(HPC)平臺(tái)的7nm FinFET工藝創(chuàng)新。Cadence® 數(shù)字簽核與定制/模擬電路仿真工具獲得TSMC 7nm工藝 v1.0設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)認(rèn)證及SPICE認(rèn)證。合作期間，Cadence開(kāi)發(fā)了包括多種解決方案的全新工藝設(shè)計(jì)包(PDK)，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)功耗、性能和面積(PPA)優(yōu)化。此外，Cadence 7nm定制電路設(shè)計(jì)參考流程(CDRF)與設(shè)計(jì)庫(kù)參數(shù)描述流程也獲得增強(qiáng)，并已有客戶(hù)完成7nm DDR4 PHY IP 的部署。

7nm工具認(rèn)證

面向TSMC的7nm工藝，Cadence打造了從設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)到最終Signoff的完整數(shù)字流程，且已經(jīng)通過(guò)TSMC認(rèn)證。該流程由以下核心系統(tǒng)組成：Innovus™ 設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)、Quantus™ QRC提取解決方案、Tempus™ 時(shí)序簽核解決方案、Voltus™ IC電源完整性解決方案、Voltus-Fi定制化電源完整性解決方案、物理驗(yàn)證系統(tǒng)(PVS)以及版圖依賴(lài)效應(yīng)(LDE)電氣分析工具。

TSMC 7nm HPC平臺(tái)已獲得多項(xiàng)支持，包括Genus™ 綜合解決方案的via-pillar建模以及完整的via-pillar設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)和簽核環(huán)境。同時(shí)，時(shí)鐘網(wǎng)格控制和總線(xiàn)布線(xiàn)功能已經(jīng)實(shí)現(xiàn)對(duì)高性能設(shè)計(jì)庫(kù)的支持，進(jìn)一步優(yōu)化PPA性能并減少電遷移(EM)。上述特性皆有助于客戶(hù)在成功打造先進(jìn)節(jié)點(diǎn)系統(tǒng)的同時(shí)減少迭代次數(shù)，并確保成本與性能目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。

獲得認(rèn)證的定制/仿真工具包括：Spectre® 加速并行仿真器(APS)、Spectre eXtensive 分區(qū)仿真器(XPS)、Spectre經(jīng)典仿真器、Virtuoso®v版圖套件、Virtuoso電路原理圖編輯工具以及Virtuoso仿真設(shè)計(jì)環(huán)境(ADE)。7nm 工藝方面，高級(jí)設(shè)備投射以及定制化布線(xiàn)流程得到增強(qiáng)，助客戶(hù)提高生產(chǎn)力，滿(mǎn)足功耗、多種曝光，密度以及電遷移的要求。

7nm定制設(shè)計(jì)參考流程(CDRF)

為應(yīng)對(duì)7nm定制與混合信號(hào)設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)，Cadence成功開(kāi)發(fā)增強(qiáng)版定制電路設(shè)計(jì)參考流程(CDRF)。增強(qiáng)版CDRF以經(jīng)過(guò)改進(jìn)的設(shè)計(jì)方法為基礎(chǔ)，提供包括電路設(shè)計(jì)理念深度解讀、版圖設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)，以及簽核與驗(yàn)證模塊在內(nèi)的多項(xiàng)特色功能，提高生產(chǎn)力。電路設(shè)計(jì)模塊詳細(xì)解讀了多項(xiàng)實(shí)現(xiàn)方法，包括如何通過(guò)使用模塊發(fā)生器(ModGen)限制條件和TSMC PDK 的設(shè)備陣列獲取電路原理圖、如何進(jìn)行功能性驗(yàn)證、良率預(yù)估和優(yōu)化，以及如何進(jìn)行可靠性分析;簽核驗(yàn)證方面，物理驗(yàn)證模塊特別強(qiáng)調(diào)了設(shè)計(jì)規(guī)則與“布局對(duì)線(xiàn)路圖(LVS)”檢查、簽核寄生參數(shù)提取，以及電遷移和電壓降(EM/IR)簽核檢查。

版圖設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)模塊包括針對(duì)FinFET設(shè)備電路布局的互聯(lián)與限制條件驅(qū)動(dòng)版圖，助設(shè)計(jì)師遵守設(shè)計(jì)規(guī)則，應(yīng)對(duì)版圖依賴(lài)效應(yīng)(LDE)。布線(xiàn)模塊包括色彩感知流程和創(chuàng)新的電痕模式系統(tǒng)，縮短設(shè)計(jì)時(shí)間，減少寄生，并幫助設(shè)計(jì)師避免因電遷移而導(dǎo)致的一系列問(wèn)題。

7nm設(shè)計(jì)庫(kù)參數(shù)特征化工具流程

工具認(rèn)證以外，Cadence Virtuoso Liberate™ 參數(shù)特征化解決方案和 Virtuoso Variety™ 統(tǒng)計(jì)參數(shù)特征化解決方案也獲得TSMC批準(zhǔn)，將為包括高級(jí)時(shí)序、噪聲和功耗模型在內(nèi)的7nm工藝提供Liberty內(nèi)容庫(kù)。憑借創(chuàng)新的自由變量形式(LVF)描述方法，上述解決方案可以實(shí)現(xiàn)工藝變更簽核;并創(chuàng)建電遷移(EM)模型，實(shí)現(xiàn)EM信號(hào)優(yōu)化及簽核。

面向7nm工藝的IP合作

作為DDR控制器和PHY IP的領(lǐng)先企業(yè)，Cadence DDR4 PHY和LPDDR4 PHY曾用于數(shù)代TSMC工藝技術(shù)(從28HPM/28HPC/28HPC+，到 16FF+/16FFC節(jié)點(diǎn))。通過(guò)與TSMC及用戶(hù)的緊密合作，Cadence從去年開(kāi)始致力于開(kāi)發(fā)7nm工藝IP。截至2016年第4季度，Cadence應(yīng)用7nm工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)DDR4 PHY旗艦產(chǎn)品的成功流片;核心客戶(hù)也已完成7nm DDR PHY與現(xiàn)有企業(yè)級(jí)SoC的集成。

“TSMC的最新工藝結(jié)合Cadence的強(qiáng)大工具與IP，必將為我們的共同客戶(hù)打造最佳的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)解決方案，”Cadence公司執(zhí)行副總裁兼數(shù)字與簽核事業(yè)部、系統(tǒng)與驗(yàn)證事業(yè)部總經(jīng)理Anirudh Devgan博士表示。“隨著v1.0設(shè)計(jì)規(guī)則的成熟以及TSMC認(rèn)證的獲得，我們已經(jīng)做好充分準(zhǔn)備，滿(mǎn)足最具創(chuàng)新能力7nm工藝客戶(hù)的生產(chǎn)需求。”

“全新v1.0設(shè)計(jì)規(guī)則與PDK表明，我們?cè)?nm生產(chǎn)設(shè)計(jì)領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了全新高度，”TSMC設(shè)計(jì)架構(gòu)市場(chǎng)部高級(jí)總監(jiān)Suk Lee表示。“我們與Cadence緊密合作，共同開(kāi)發(fā)針對(duì)7nm設(shè)計(jì)的創(chuàng)新IP并為其頒發(fā)認(rèn)證，助力我們的共同客戶(hù)實(shí)現(xiàn)移動(dòng)設(shè)備與HPC設(shè)計(jì)的PPA目標(biāo)。”

“ARM與Cadence和TSMC已經(jīng)就7nm設(shè)計(jì)流程展開(kāi)密切合作，” ARM公司系統(tǒng)與軟件事業(yè)部總經(jīng)理Monika Biddulph表示。“該流程將進(jìn)一步推動(dòng)高端移動(dòng)應(yīng)用與高性能運(yùn)算應(yīng)用的平臺(tái)開(kāi)發(fā)。”