聯(lián)華電子與半導(dǎo)體邏輯非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)硅智財(cái)領(lǐng)導(dǎo)廠商Kilopass日前共同宣布，雙方已簽署技術(shù)開發(fā)協(xié)議，Kilopass非揮發(fā)性內(nèi)存硅智財(cái)將于聯(lián)華電子兩個(gè)28奈米先進(jìn)制程平臺上使用，分別為：適用于生產(chǎn)可攜式裝置產(chǎn)品系統(tǒng)單芯片的高介電質(zhì)金屬閘(High-k/Metal Gate) 28HPM;以及受消費(fèi)性電子產(chǎn)品系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)公司青睞的多晶硅(Poly /SiON) 28HLP制程。

聯(lián)華電子28奈米制程的芯片閘極密度為40奈米制程的兩倍。具成本效益的28HLP多晶硅(Poly/ SiON) 制程，與業(yè)界其它28奈米多晶硅(Poly /SiON) 制程相比，具備了更優(yōu)異的效能及功耗上的提升。為配合系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)公司不同的電源需求，此制程提供了多個(gè)電壓選項(xiàng)：1.8V，2.5V和2.5 /3.3V。而28HPM高介電質(zhì)金屬閘(High-k/Metal Gate)制程，則提供了臨界電壓選項(xiàng)、內(nèi)存儲存單元和降頻/超頻功能，有助于系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)公司大幅提高產(chǎn)品整體效能和電池續(xù)航力。

聯(lián)華電子客戶工程暨硅智財(cái)研發(fā)設(shè)計(jì)支持副總簡山杰表示：「聯(lián)華電子不斷致力于先進(jìn)技術(shù)開發(fā)和及時(shí)的產(chǎn)能導(dǎo)入，以充分滿足客戶的需求。為了確保我們客戶在28奈米制程上，不僅可以采用聯(lián)華電子eFlash、eE2PROM、eMTP、eOTP和eFuse的硅智財(cái)，也能獲取最佳第三方廠商之非揮發(fā)性內(nèi)存硅智財(cái)，聯(lián)華電子十分樂意與Kilopass公司持續(xù)合作，以確保其多元化的反熔絲非揮發(fā)性內(nèi)存(anti-fuse NVM)硅智財(cái)產(chǎn)品，能夠在我們28奈米制程平臺上提供給客戶采用?！?/p>

Kilopass公司董事長暨執(zhí)行長Charlie Cheng表示：「對于Kilopass與聯(lián)華電子進(jìn)行中的策略合作，我們感到非常高興。在聯(lián)華電子28奈米先進(jìn)制程平臺上使用我們非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM) 硅智財(cái)產(chǎn)品，為兩家公司創(chuàng)造了雙贏。對于聯(lián)華電子來說，將可在其先進(jìn)制程平臺上，為客戶提供更廣泛的硅智財(cái)產(chǎn)品組合;對于Kilopass而言，則可將業(yè)務(wù)范圍拓展到聯(lián)華電子28奈米制程市占率日益提升的行動(dòng)設(shè)備與消費(fèi)性電子系統(tǒng)單芯片之產(chǎn)品市場?！?/p>