中國 北京， 2013年5月15日，概倫電子科技有限公司(下稱概倫電子)宣布中芯國際集成電路制造有限公司(下稱中芯國際, 紐交所代號:SMI，港交所股份代號：981)已在其先進工藝制程開發(fā)流程中采用概倫電子NanoYieldTM高良率(High Sigma)解決方案。

概倫電子作為SPICE模型解決方案的全球領導廠商及業(yè)界領先的良率導向設計(DFY)技術(shù)供應商，于2012年推出NanoYield—專為存儲器、邏輯和模擬電路設計所研發(fā)的快速而精準的良率預測和優(yōu)化軟件。

靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)的良率受局部工藝漂移所限制，這種情況在先進工藝制程、在28納米及以下的工藝節(jié)點上尤為突出。在傳統(tǒng)的工藝開發(fā)中，工程師需要同時運行多個不同的工藝批次，然后對結(jié)果加以分析來判斷工藝漂移對SRAM良率的影響，在耗費時間的同時也增加了開發(fā)成本。在IBM授權(quán)技術(shù)基礎上改進和開發(fā)且通過硅認證的NanoYield高良率分析技術(shù)(HS-Pro)，可以成幾個數(shù)量級地縮短傳統(tǒng)蒙特卡羅(Monte Carlo)用于高良率(High Sigma)分析的仿真時間。通過運行一系列代表不同工藝改進的計算機仿真，工程師可以利用NanoYield高良率分析技術(shù)在工藝制程開發(fā)的早期對SRAM良率進行高達6s的快速預測和驗證，幫助半導體代工廠在先進工藝開發(fā)過程中更好地控制成本，加快上市的進程，同時為其客戶提供更好的產(chǎn)品良率。

中芯國際與概倫電子在先進SPICE建模領域已合作多年，雙方已建立長期的戰(zhàn)略合作關系，本次合作將延伸到面向良率提升的工藝制程技術(shù)研發(fā)和設計流程改進等。在此次合作中，中芯國際采用NanoYield對28納米、20納米及以下工藝節(jié)點的先進工藝制程開發(fā)中的SRAM進行優(yōu)化。“NanoYield已成為我們工藝制程開發(fā)流程中的重要組成部分。”中芯國際技術(shù)研發(fā)執(zhí)行副總裁李序武博士表示，“NanoYield可以幫助我們改進工藝，減少實現(xiàn)良率目標所需的時間。”

“中芯國際是我們最有價值的合作伙伴之一”，概倫電子董事長兼總裁劉志宏博士表示，“通過雙方的緊密合作，中芯國際28納米工藝制程的開發(fā)已采用NanoYield高良率解決方案進行SRAM良率的優(yōu)化。早期的SRAM良率的驗證可以增強客戶和IP合作伙伴的信心，從而加快產(chǎn)能提升的步伐。”