高通近日宣布，其新型最高端移動(dòng)處理器驍龍Snapdragon 800系列將會(huì)在全球范圍內(nèi)第一個(gè)采用臺(tái)積電的28nmHPM工藝進(jìn)行生產(chǎn)，這是專為高性能、高集成度SoC打造的新工藝。

臺(tái)積電28HPM工藝針對(duì)移動(dòng)計(jì)算設(shè)備進(jìn)行了專門優(yōu)化，可用于生產(chǎn)應(yīng)用處理器、整合基帶處理器等高端芯片，可以讓主頻達(dá)到2.2-2.3GHz的同時(shí)，每個(gè)核心的功耗不超過750mW，相比于臺(tái)積電的上一代40LP，可以提速2.5-2.7倍，同時(shí)工作功耗減半。

此前發(fā)布的NVIDIA Tegra 4使用的是臺(tái)積電28HPL工藝，更注重漏電率與性能之間的平衡，而不是追求最高性能。由此就似乎可以看出，高通有望在這一輪性能大戰(zhàn)中占據(jù)上風(fēng)。

高通執(zhí)行副總裁、總經(jīng)理Jim Lederer表示：“通過使用臺(tái)積電的28HPM工藝，高通驍龍800處理器將會(huì)提供業(yè)界領(lǐng)先的性能，和出色的電池續(xù)航能力。通過與臺(tái)積電緊密合作，我們將這種工藝發(fā)揮到了極致，從而將驍龍800帶往平板機(jī)和高端智能手機(jī)。”