臺(tái)積電在上周二的年會(huì)上公布了該公司的路線圖，其中提到他們將會(huì)在明年年底開(kāi)始嘗試用 ARM 的第一個(gè) 64-bit 處理器(ARMv8 指令集)來(lái)作為 16nm FinFET 制程的驗(yàn)證。

按照這份路線圖，臺(tái)積電計(jì)劃在 2013 年 11 月開(kāi)始早期性或者說(shuō)風(fēng)險(xiǎn)性 16nm FinFET 制程生產(chǎn)，這樣的進(jìn)度計(jì)劃類似于 Globalfoundries 的 2013 制造 20nm 芯片、2014 年生產(chǎn) 14nm FinFET 進(jìn)程。

據(jù)介紹，臺(tái)積電的 16nm FinFET 制程在 back-end 方面類似于 20nm 金屬門 SOC 制程，這樣的做法也許可以讓晶圓廠避免全新工藝節(jié)點(diǎn)而出現(xiàn)的復(fù)雜度和成本。

臺(tái)積電將會(huì)在明年 1 月份完成 16nm 制程的芯片設(shè)計(jì)包，11 月試產(chǎn)，而量產(chǎn)化的芯片物理設(shè)計(jì)遞交將在此后的 4~5 個(gè)季度后。

FinFET 制程的漏電流特征和 20nm 一樣，但是性能比 20nm 制程可以提升 35%，供電縮減 35%。