21ic訊 橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)和全球先進半導體解決方案提供商三星電子株式會社今天簽署了28納米全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI)技術(shù)多資源制造全方位合作協(xié)議。

該技術(shù)特許協(xié)議授權(quán)三星利用其現(xiàn)代化的300mm晶圓制造廠為客戶提供先進的芯片制造解決方案，確保半導體工業(yè)能夠在芯片量產(chǎn)中利用意法半導體的FD-SOI技術(shù)。28納米 FD-SOI技術(shù)可制造速度更快、散熱更好、工序更簡單的半導體器件，滿足移動和消費電子等下一代電子產(chǎn)品市場對更高性能和更低功耗的系統(tǒng)芯片的日益增長的需求。

該28納米FD-SOI技術(shù)合作協(xié)議內(nèi)容包括意法半導體成熟的制造工藝和設(shè)計支持生態(tài)系統(tǒng)。意法半導體已完成了28納米 FD-SOI技術(shù)的性能、功耗和簡易性的驗證測試，繼續(xù)吸引更多廠商采用這項技術(shù)設(shè)計芯片，使其保持持續(xù)增長的態(tài)勢。該協(xié)議是對意法半導體在法國Crolles的300mm晶圓廠的28納米 FD-SOI產(chǎn)能的有益補充，為選購28納米 FD-SOI產(chǎn)品的客戶提供了多貨源選擇機會，同時還為客戶帶來三星和意法半導體在大規(guī)模制造技術(shù)方面的豐富經(jīng)驗和全面技術(shù)。預計三星28納米 FD-SOI制造工藝將于2015年初完成量產(chǎn)認證測試。

意法半導體首席運營官Jean-Marc Chery表示：“以三星和意法半導體在國際半導體研發(fā)聯(lián)盟框架內(nèi)建立的穩(wěn)定的合作關(guān)系為基礎(chǔ)，該協(xié)議將雙方的合作范圍擴展至28納米 FD-SOI技術(shù)，同時還擴大了產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和意法半導體及整個電子工業(yè)的產(chǎn)能。近幾個季度，我們的嵌入式處理解決方案部與多名客戶簽訂了多項技術(shù)合作項目，28納米 FD-SOI業(yè)務呈持續(xù)增長態(tài)勢，該協(xié)議的簽訂證實并進一步擴大了這項技術(shù)取得的成功。我們預測 28納米 FD-SOI技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)將會進一步擴大，覆蓋到主要的EDA和IP供應商，28納米 FD-SOI產(chǎn)品系列因而將會變得更加豐富。”

三星系統(tǒng)LSI業(yè)務部執(zhí)行副總裁Seh-Woong Jeong表示：“我們榮幸地宣布這一28納米 FD-SOI合作項目。對于想要更高性能和能效而沒有必要遷移到20納米的客戶，這是一個理想的解決方案。28納米制造工藝的生產(chǎn)效率很高，基于成熟的制造設(shè)施，具有很長的生命周期。通過在現(xiàn)有技術(shù)組合內(nèi)增加FD-SOI，我們將為客戶提供種類齊全的28納米產(chǎn)品。”

技術(shù)說明:

FD-SOI技術(shù)是意法半導體、CEA-Leti、Soitec等企業(yè)和研發(fā)中心組成的法國格勒諾布爾技術(shù)集群歷經(jīng)多年合作的研發(fā)成果，特別適用于對能效、性能和成本都有較高要求的廠商。這項制造工藝有效地擴展了摩爾定律[1]適用范圍，是傳統(tǒng)平面半導體制造工藝的一次演進升級。不同于其它的制造工藝，F(xiàn)D-SOI準許廠商繼續(xù)使用現(xiàn)有的設(shè)計流程、各種電子設(shè)計自動化軟件和現(xiàn)有制造設(shè)備。在保護現(xiàn)有制造設(shè)備投資的同時，意法半導體的FD-SOI技術(shù)[2]還完美地解決了高性能和低工作溫度之間的矛盾。除準許沿用現(xiàn)有設(shè)計流程和制造設(shè)施的優(yōu)勢外，這項技術(shù)還將大幅降低制造工藝的復雜性。