瑞薩電子(Renesas)開發(fā)全新28奈米嵌入式快閃記憶體技術(shù)。該技術(shù)可達(dá)更快的讀取與覆寫速度，且針對(duì)采用28奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)制程技術(shù)的晶片內(nèi)建快閃記憶體微控制器(MCU)所設(shè)計(jì)。

新技術(shù)利用記憶體單元電流的溫度依存性與周邊電晶體的可靠性是逆相關(guān)的事實(shí)，在字線增速電壓中加入負(fù)向的溫度依存性，使周邊電晶體的可靠性使用壽命提升十倍，并使隨機(jī)讀取速度從160增加至200MHz，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)高速讀取作業(yè)與高可靠性的技術(shù);此外，該技術(shù)可藉監(jiān)控抹除速度并控制抹除作業(yè)，使最大抹除電壓在高速抹除時(shí)可受到抑制，以減輕層間介電質(zhì)的抹除電壓應(yīng)力。

另外，新技術(shù)可藉將負(fù)反向偏壓附加至記憶體單元，以降低寫入脈沖持續(xù)時(shí)間，并可平行寫入多個(gè)快閃記憶體巨集，提升寫入速度，因此可達(dá)每秒2.0MB的寫入速度;由于預(yù)期未來eFlash記憶體覆寫周期計(jì)數(shù)將增加，如因OTA(空中安全下載)程式更新等，須將電源供應(yīng)雜訊與EMI在覆寫作業(yè)時(shí)，對(duì)系統(tǒng)運(yùn)作的影響降至最低，該技術(shù)采用展頻時(shí)脈產(chǎn)生(SSCG)做為產(chǎn)生快閃記憶體覆寫作業(yè)之高電壓的充電泵的驅(qū)動(dòng)時(shí)脈，以可降低電源供應(yīng)雜訊與電磁干擾(EMI)。