在中國建廠與投資FD-SOI(全耗盡絕緣層上硅)工藝，或許是格芯(GlobalFoundries)CEO Sanjay Jha職業(yè)生涯最重要的賭注，期望通過這兩項舉措給晶圓代工市場格局帶來變化。在第五屆FD-SOI論壇上，介紹完格芯成都工廠建設(shè)進度與22FDX工藝發(fā)展近況以后，Sanjay表示，2017年格芯22FDX平臺接到的試驗性流片(即MPW，直譯為多項目晶圓)訂單有20例，其中10例來自中國設(shè)計公司。“市場廣闊，機會難得，F(xiàn)DX就是為中國市場量身打造的技術(shù)。”

在演講中，Sanjay Jha對三個尚未量產(chǎn)的22納米工藝進行了對比。與臺積電22ULP(超低功耗22納米工藝)及英特爾22FFL(22納米低功耗鰭式場效應(yīng)晶體管工藝)相比，格芯的22FDX(22納米FD-SOI工藝)晶體管密度最高，光罩數(shù)最少(流片成本低)，功耗也最低。

由于和體硅工藝路線不同，所以格芯22FDX在2018年推出并不奇怪，但對臺積電和英特爾而言，最先進工藝已經(jīng)走到了10納米節(jié)點，為何又回頭重新開發(fā)22納米低功耗工藝?(當然，英特爾剛在中國召開新聞發(fā)布會，宣布2017年下半年量產(chǎn)10納米工藝，并稱根據(jù)其計算方法，臺積電和三星的10納米工藝遠遠落后英特爾10納米，根本就不是一代技術(shù)。)

芯原董事長兼CEO戴偉民認為，臺積電22ULP的推出，很大程度是為5G做準備，因為在FinFET上很難實現(xiàn)射頻工藝，退回平面工藝以后，可以相對容易地集成射頻功能。

英特爾推出的22FFL工藝，也特地強調(diào)包含一個完整的射頻(RF)套件，可結(jié)合多種模擬和射頻器件來實現(xiàn)高度集成的芯片。

與28納米工藝相比，這三種22納米工藝功耗更低，晶體管密度更高，而與14/16納米工藝相比，22納米工藝開發(fā)成本更低，也都可實現(xiàn)射頻工藝集成。

所以，5G到來以后新一代物聯(lián)網(wǎng)終端芯片，將是這三種22納米工藝的最主要目標市場。

雖然近年來資本支出排行榜排名前三的公司中，兩家都回頭去做22納米低功耗工藝，但三星現(xiàn)在并沒有在22納米工藝投資的計劃。這一方面是由于三星28納米FD-SOI工藝當前最為成熟，據(jù)三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung介紹，過去三年，三星FD-SOI工藝已經(jīng)有7家客戶，36個產(chǎn)品進行了流片，現(xiàn)在流片產(chǎn)品數(shù)量在不斷增加。相比28納米體硅工藝，28納米FD-SOI的特色就是功耗低，因此非常適合物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。

另一方面，三星FD-SOI工藝規(guī)劃的下一個節(jié)點是18納米，因此在三星代工產(chǎn)品線當中，28納米和14納米節(jié)點之間，除了規(guī)劃中的18納米FD-SOI，就沒有其他工藝提供。

不過，如果22納米低功耗工藝市場接受度良好，不知道急于擴大代工業(yè)務(wù)的三星是準備用18納米FD-SOI工藝來錯位競爭，還是也跟風上22納米?反正對財大氣粗的三星電子來說，開發(fā)22納米工藝的資金不成問題。