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[導(dǎo)讀]2019年6月6日,華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地(一期)12 英寸生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目首批三臺(tái)光刻機(jī)搬入儀式舉行。光刻設(shè)備的搬入標(biāo)志著華虹無(wú)錫基地項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)入新的里程,整個(gè)項(xiàng)目也隨即達(dá)到新高度。

2019年6月6日,華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地(一期)12 英寸生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目首批三臺(tái)光刻機(jī)搬入儀式舉行。光刻設(shè)備的搬入標(biāo)志著華虹無(wú)錫基地項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)入新的里程,整個(gè)項(xiàng)目也隨即達(dá)到新高度。

華虹半導(dǎo)體新任總裁唐均君表示,目前,有關(guān)12英寸的工藝研發(fā)、工程、銷售和市場(chǎng)團(tuán)隊(duì)正在緊鑼密鼓開發(fā)新產(chǎn)產(chǎn)品,為12英寸晶圓生產(chǎn)線的初始量產(chǎn)做好準(zhǔn)備。華虹無(wú)錫基礎(chǔ)一期截止6月5日已經(jīng)搬入35臺(tái)設(shè)備,其中25臺(tái)已經(jīng)完成安裝調(diào)試,預(yù)計(jì)將于9月進(jìn)行試生產(chǎn),12月形成量產(chǎn)能力。

 

根據(jù)此前官方介紹,華虹無(wú)錫項(xiàng)目占地約700畝,總投資100億美元,一期投資25億美元,新建一條工藝等級(jí)90~65納米、月產(chǎn)能約4萬(wàn)片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線,支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。

該項(xiàng)目于2018年3月正式開工建設(shè),計(jì)劃將于2019年上半年完成土建施工,下半年完成凈化廠房建設(shè)和動(dòng)力機(jī)電設(shè)備安裝、通線并逐步實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。自開建以來(lái),華虹無(wú)錫項(xiàng)目一直加速前進(jìn),主要工程節(jié)點(diǎn)均提前完成。

今年3月,華虹半導(dǎo)體在其年報(bào)上表示,華虹無(wú)錫已于2018年底主體結(jié)構(gòu)全面封頂,預(yù)計(jì)將于2019年第二季度末完成廠房和潔凈室的建設(shè),下半年開始搬入設(shè)備,并于2019年第四季度開始300mm晶圓的量產(chǎn)。

據(jù)悉,為加快實(shí)現(xiàn)華虹無(wú)錫的順利投產(chǎn)、風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)和上量,華虹半導(dǎo)體在2018年啟動(dòng)了55nm邏輯工藝及相關(guān)IP的研發(fā),預(yù)計(jì)2019年下半年開始導(dǎo)入客戶,同時(shí)開始研發(fā)55納米嵌入式閃存工藝的存儲(chǔ)單元,功能驗(yàn)證已通過(guò),為未來(lái)55納米嵌入式閃存技術(shù)量產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

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