東芝開發(fā)出了在硅芯片上形成發(fā)光元件的技術(shù)。在2008年秋季舉行的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)上東芝已發(fā)布過此項(xiàng)技術(shù),近日又利用顯示面板在正在舉行的“國際納米科技綜合展(nano tech 2009)”上進(jìn)行了介紹。
東芝發(fā)現(xiàn),在一定條件下向硅結(jié)晶中添加氟(F)和氮(N)的話,會(huì)因光的激發(fā)而發(fā)光,該技術(shù)就是這一發(fā)現(xiàn)的產(chǎn)物。發(fā)光現(xiàn)象在超過1.5μm的波長附近發(fā)生。發(fā)光時(shí),需要將大量硅結(jié)晶的溫度降至絕對(duì)溫度為4K的超低溫狀態(tài),但如果將硅結(jié)晶制成1~2nm的薄膜的話,室溫下也能發(fā)光。
“硅受光元件和導(dǎo)波路已經(jīng)問世。但目前還沒有發(fā)光元件”(東芝),因此美國英特爾和IBM等全球半導(dǎo)體廠商及研究機(jī)構(gòu)就如何才能讓硅發(fā)光展開了激烈爭(zhēng)論。
然而,讓硅在半導(dǎo)體中也能發(fā)光是非常困難的。因?yàn)楣杈哂小伴g接過渡”的性質(zhì),即電子的導(dǎo)帯最小時(shí)的波數(shù)與價(jià)帯最大時(shí)的波數(shù)不同。
東芝表示,“放棄了延續(xù)此前技術(shù)來使硅發(fā)光的方法”,而是考慮采用在硅結(jié)晶中添加氟和氮的方法。即使添加氟和氮也不會(huì)變成n型和p型半導(dǎo)體,依然為本征半導(dǎo)體。該公司沒有公布發(fā)光原理的具體內(nèi)容,但表示,“利用了電子引力較強(qiáng)的N原子的性質(zhì)”。
雖然該技術(shù)距離實(shí)用化還存在諸多課題,但“在硅芯片上直接形成發(fā)光元件已經(jīng)成為可能。這對(duì)硅半導(dǎo)體技術(shù)來說將是一個(gè)非常大的突破”
成都2022年10月10日 /美通社/ -- 近期,平安養(yǎng)老險(xiǎn)總結(jié)了"五心"服務(wù),只為做好群眾權(quán)益保護(hù),提供有溫度的服務(wù)。多年來,平安養(yǎng)老險(xiǎn)始終懷揣著守護(hù)"初心", 惠及"...
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