首爾半導(dǎo)體公布其對InGaN系LED專利的立場
首爾半導(dǎo)體日前宣布，美國得克薩斯法院經(jīng)審議決定，活性層使用 InGaN 的 LED 在銦的結(jié)構(gòu)特性方面屬于首爾半導(dǎo)體的專利。InGaN 是組成白、藍(lán)、綠色和紫外光 LED 活躍層的必要物質(zhì)。作為上述美國得克薩斯法院審判對象的美國專利 5,075,742（以下簡稱“742專利”）包含了在日本、德國、英國、法國的專利家族。有關(guān)詳細(xì)的審判內(nèi)容可以在首爾半導(dǎo)體的網(wǎng)站證實。(http://seoulsemiconductor.cn/cn/prCenter/news/view.asp?seq=57)
首爾半導(dǎo)體業(yè)務(wù)合作伙伴可使用這一專利。有關(guān)企業(yè)可以與首爾半導(dǎo)體簽訂戰(zhàn)略協(xié)議來得到專利許可。首爾半導(dǎo)體已跟美國和日本的三家企業(yè)簽訂了專利許可協(xié)議。對于侵犯專利的企業(yè)，首爾半導(dǎo)體有權(quán)使其停止銷售、使用并對給首爾半導(dǎo)體造成的損失予以賠償。
首爾半導(dǎo)體一向尊重其他企業(yè)的知識產(chǎn)權(quán)，并將繼續(xù)與這些尊重知識產(chǎn)權(quán)的企業(yè)進(jìn)行公平的競爭。而對于那些侵犯知識產(chǎn)權(quán)的企業(yè)，首爾半導(dǎo)體將對其采取必要手段以維護(hù)自己的專利權(quán)益。
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