東芝2010年12月1日宣布，開發(fā)成功了用于顯示器、具有“全球最高水平的可靠性”的氧化物半導(dǎo)體TFT。TFT可靠性試驗之一的BTS（Bias Temperature Stress）試驗前后的閾值電壓變化量控制在了50mV以內(nèi)。另外，BTS試驗是在溫度為＋70℃、柵電壓為±20V的狀態(tài)下，連續(xù)驅(qū)動2000s的試驗。

此次東芝開發(fā)的氧化物半導(dǎo)體TFT，其中的通道材料采用了非結(jié)晶IGZO（In-Ga-Zn-O）。IGZO TFT比現(xiàn)有大型液晶面板的驅(qū)動元件所采用的非晶硅TFT的載流子遷移率約高10倍，不過閾值電壓的變化此前卻一直是個問題。

東芝發(fā)現(xiàn)IGZO TFT的可靠性與通道材料內(nèi)部氫的狀態(tài)有關(guān)。在優(yōu)化IGZO TFT的成膜條件以及成膜后熱處理（淬火）溫度的同時，通過控制絕緣膜中的氫的濃度，在玻璃基板上以320℃的溫度形成了IGZO TFT。此次制成的IGZO TFT的載流子遷移率為13.5cm2/Vs。

另外東芝還試制了采用此次IGZO TFT的3英寸有機EL面板。在基板上形成了柵極驅(qū)動電路。

今后，東芝將推進(jìn)氧化物半導(dǎo)體TFT形成工藝的低溫化以及進(jìn)一步確保其可靠性。以便實現(xiàn)基板材料從現(xiàn)在的玻璃材料變?yōu)闃渲牧希瑢崿F(xiàn)薄型、輕質(zhì)的“平板顯示器”的目標(biāo)。

另外，東芝將在2010年12月1～3日于福岡市舉行的顯示器相關(guān)國際學(xué)會“IDW 2010（International Display Workshops）”上發(fā)布此次的成果（演講序號：AMD9-2）。（記者：佐伯 真也）