IMEC（Interuniversity MicroELectronics Centre，歐洲微電子研究中心）近日發(fā)布其最新的硅襯底晶片。在一項名為氮化鎵工業(yè)聯(lián)盟計劃（IIAP）的研發(fā)項目里，IMEC與其合作伙伴共同開發(fā)了在200毫米硅晶片上生長GaN/AlGaN的技術。借助這項新技術，GaN MISHEMTs（ metal-insulator semiconductor high-electron mobility transistors，無金屬高電子遷移率晶體管）能夠嚴格按照CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體）的污染控制要求在工藝線上進行生產（不再需要加入金這種貴金屬），進而能夠在200mm硅襯底上大批量生產高質量的氮化鎵產品。

IMEC詳細介紹了該技術的優(yōu)勢：

　　1. 大尺寸生產

氮化鎵是一種極具潛力能替代硅元件的新一代功率器件。IMEC使用Applied Materials公司的MOCVD最近成功地在200毫米硅晶片上生產出表面無裂紋并且彎曲度小于50微米的氮化鎵硅晶片是一個重要的里程碑，因為生產大尺寸晶片對降低成本效果顯著。

2. 兼容性好

降低成本第二個有效因素是怎樣使得功率器件與標準CMOS制造工藝和工具兼容。IMEC的新技術展示了使用標準CMOS工藝生產GaN MISHEMTs，并驗證了所有的設備僅僅只要求在軟件和硬件做微小的調整即可。通常，金這種貴金屬被用于氮化鎵產品的電路連接和門電路結構，但它使氮化鎵的加工與CMOS工藝不兼容。而IMEC基于無金的電路連接系統(tǒng)，和無金的金屬絕緣半導體（MIS）門結構解決了兼容問題。這種MISHEMT設計還能有效降低傳統(tǒng)HEMTs（高電子遷移率晶體管）的高漏電問題。