氧化物TFT的發(fā)布在此次“SID”（全球最大的顯示器學(xué)會，2011年5月15～20日在美國洛杉磯舉行）上也非常多。而且，有關(guān)高可靠性的發(fā)布趨于增加，令人感到氧化物TFT終于接近了實用化水平。

單從分會名稱上看，涉及氧化物TFT的只有“Active Matrix Devices的Oxide TFT I和II”兩個，但“OLED Displays II”分會的發(fā)布也都集中于將氧化物TFT用于背板上。而且，還有將氧化物TFT應(yīng)用于柔性顯示器的發(fā)布。此外，在展板會議的26項“Active-Matrix Devices”發(fā)布中，有18項都與氧化物TFT相關(guān)。這表明，作為最有希望的新一代FPD用元件技術(shù)，有大量研究人員在從事氧化物TFT的開發(fā)。

Oxide TFT I：發(fā)布200℃工藝以及降低截止電流的新技術(shù)

在“Oxide TFT I”分會上，首先東芝發(fā)布了使用以低于200℃的低溫工藝在樹脂基板上形成IGZO（In-Ga-Zn-O）TFT試制的柔性有機EL面板。BT試驗結(jié)果顯示，在Vgs＝20V、70℃、2000秒的條件下ΔVth＝0.22V。試制面板的性能指標為：3英寸、160×120像素、2Tr+1Cap（雙晶體管單電容器電路）像素電路、底面發(fā)光型白色有機EL+彩色濾光片結(jié)構(gòu)、開口率為40％。TFT內(nèi)置掃描驅(qū)動電路。

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韓國三星移動顯示器（SMD）發(fā)布了實現(xiàn)讓內(nèi)置掃描電路穩(wěn)定工作以及低耗電化的14英寸有機EL面板（論文編號：4.2）。使用浮游柵極降低了氧化物TFT的截止電流。

氧化物TFT的Vth一般多在0V以下，Vgs＝0V條件下的截止電流較大。因此存在普通電路難以工作以及耗電量變大的問題。因此，SMD將電路的一部分制成了浮游柵極構(gòu)造，在開始掃描之前設(shè)定適當(dāng)?shù)碾娢?。在此基礎(chǔ)上，還通過電容耦合來控制輸出信號，確保了工作的穩(wěn)定。

作為另外一種方法，SMD還發(fā)布了主動優(yōu)化柵極偏壓的動態(tài)Vth控制式電路（論文編號：49.3）。試制的有機EL面板的性能指標為：14英寸、960×540像素、3Tr+1Cap像素電路。