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[導讀]歐司朗光電半導體的紅外芯片原型成功創(chuàng)下達 72% 的能效新記錄。工作電流為 1 A、功率為 930 mW 時,在實驗室條件下,這款芯片的光輸出比市售芯片要高出 25%,這就意味著未來的紅外LED 可以更為節(jié)能。這一能效值是在室

歐司朗光電半導體的紅外芯片原型成功創(chuàng)下達 72% 的能效新記錄。工作電流為 1 A、功率為 930 mW 時,在實驗室條件下,這款芯片的光輸出比市售芯片要高出 25%,這就意味著未來的紅外LED 可以更為節(jié)能。這一能效值是在室溫下直流電電流高達 1 A 時測量的。其波長為 850 nm,專門為紅外照明應用而設計。

來自德國雷根斯堡研發(fā)實驗室的實驗結果證實,這款芯片的確創(chuàng)造了一項新的里程碑。在工作電流為 100 mA 時,采用紅外薄膜芯片技術、只有 1 mm2 大小的芯片原型實現(xiàn)了 72% 的能效。這種能效被稱為電光轉換效率 (WPE),指的是輻射功率和電力輸入功率之間的比率。

這款芯片原型的外部量子效率 (EQE),即平均每單位電荷經(jīng)過器件作用后所能發(fā)出的光子數(shù)量比率,更是高達 67%,即使是在 1 A 工作電流下仍可保持在 64% 以上。

芯片原型 850 nm 的波長是紅外照明的理想之選,尤其是在執(zhí)行監(jiān)控任務以及與閉路電視攝像頭搭配使用時更是如此。另外,它還有望用在汽車安全系統(tǒng)中,例如,可以用作預碰撞傳感器和夜視系統(tǒng)的光源。

歐司朗光電半導體德國雷根斯堡總部的 IRED 芯片開發(fā)項目經(jīng)理 Markus Broll 表示:“如今,能效和亮度的提升方式可以從 850 nm 轉向其它波長。這意味著將來有望針對紅外照明打造出能效極高的解決方案。”不僅如此,多芯片應用所需要的元件將會更少,即省錢又節(jié)能。

這項開發(fā)工作的成果目前正在分階段實施。新型芯片預計將于明年年初和年中之間進入系列化生產(chǎn)。

 

 

這款新型 1 mm2 紅外芯片能效高達 72%,即使在 1 A 工作電流下量子效率依然保持在 65% 左右

 

 

使用歐司朗的這款新型芯片,閉路電視攝像頭所必需的強大 IR 照明將會更為高效

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