日前，晶能光電CTO趙漢明博士在美國報告了硅基LED的最新進展情況。晶能光電45mil的硅基大功率LED芯片發(fā)光效率已經(jīng)提高到130lm/W，產(chǎn)品封裝后藍光功率最高可達615mW，白光光通量最高可達145lm，而55mil的硅基大功率LED芯片發(fā)光效率可達140lm/W。

硅基LED芯片是垂直結構芯片，具有出光形貌好、散熱優(yōu)良、適合于大電流驅(qū)動以及陶瓷封裝效率高等特點。硅基LED芯片用的是銀反射鏡垂直結構技術，與ITO水平結構的藍寶石LED芯片相比，具有散熱好、電流擴展好等優(yōu)勢，同樣大小的LED芯片，垂直結構的正常工作電流可以比ITO水平結構的高很多，因此單位面積芯片出光要高。同等總流明的燈具所需要的垂直結構LED芯片顆數(shù)要少，這是成本降低的一大因素。目前晶能光電正在開發(fā)6寸GaN/Si技術的量產(chǎn)技術，用6寸硅襯底開發(fā)的45mil硅基大功率LED芯片光效可達120lm/W。

趙漢明博士指出，目前藍寶石襯底LED技術已經(jīng)很成熟，世界上99%的公司都是用這個技術制造LED;碳化硅襯底LED技術主要是科銳在用，技術也比較成熟;用硅做襯底最有潛力，但也最難。晶能光電從2006年成立以來，就專注硅基LED芯片的研究和開發(fā)，也是目前世界上最早將硅基LED產(chǎn)品推向市場的公司。

據(jù)悉，此前晶能光電在廣州香格里拉大酒店舉行的新一代大功率硅基LED芯片產(chǎn)品發(fā)布會上推出了這四款產(chǎn)品，45mil的硅基大功率LED芯片發(fā)光效率可達到120lm/W。