日立用于白色LED磊晶的GaN范本全新
[導(dǎo)讀]日立電線株式會(huì)社宣布成功開發(fā)出在藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)的高品質(zhì)氮化鎵（GaN）單晶薄膜的GaN范本全新量產(chǎn)技術(shù)，并已開始銷售。透過將該產(chǎn)品用作“白色LED磊晶”的底層基板，可以大幅提高白色LED磊晶的生產(chǎn)效率及LED特性。
日立電線株式會(huì)社宣布成功開發(fā)出在藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)的高品質(zhì)氮化鎵（GaN）單晶薄膜的GaN范本全新量產(chǎn)技術(shù)，并已開始銷售。
透過將該產(chǎn)品用作“白色LED磊晶”的底層基板，可以大幅提高白色LED磊晶的生產(chǎn)效率及LED特性。因此，對(duì)于業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)十分激烈的白色LED制造商而言，該產(chǎn)品可望成為有效提升產(chǎn)業(yè)地位的解決方案。
近年來，白色LED以其節(jié)能、壽命長(zhǎng)等顯著優(yōu)點(diǎn)，在以液晶面板背燈為代表的照明產(chǎn)品的需求正在急劇擴(kuò)大。白色LED磊晶的基本結(jié)構(gòu)是，先在藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)出一層10μm厚的n型GaN層，接著生長(zhǎng)一層1μm厚的超薄活性層和p型GaN層。在一般的生產(chǎn)工序中，這些晶體層全部采用MOVPE法實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)。MOVPE法雖然適用于需要原子級(jí)膜厚控制的活性層的生長(zhǎng)，但為了生長(zhǎng)出所需厚度的優(yōu)質(zhì)n型GaN層，則需要花費(fèi)較長(zhǎng)的時(shí)間。因此，白色LED磊晶的生長(zhǎng)次數(shù)每天最多1～2次，如何實(shí)現(xiàn)高效率的生產(chǎn)方式，一直是個(gè)待解決的難題。
為了解決這一課題，該公司開發(fā)出了采用MOVPE法生長(zhǎng)的底層基板所使用的GaN范本。GaN范本采用在藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)n型GaN層的結(jié)構(gòu)。透過采用GaN范本，LED制造商將不再需要n型GaN緩沖層的生長(zhǎng)制程，生長(zhǎng)所需要的時(shí)間也將降至原來的一半左右。另外，采用該公司生產(chǎn)的GaN范本，還可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)低阻化和高結(jié)晶性，也同樣適用于需要較大電流的大功率LED。
之前，該公司曾開發(fā)出用于藍(lán)紫色雷射器等的單晶GaN自支撐基板，并為了實(shí)現(xiàn)該產(chǎn)品的生產(chǎn)，促進(jìn)了采用HVPE法的獨(dú)有結(jié)晶生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展。這次，該公司憑借此項(xiàng)獨(dú)有的生長(zhǎng)技術(shù)，全新開發(fā)出高品質(zhì)GaN范本的高效率生產(chǎn)技術(shù)及設(shè)備，建構(gòu)了完備的量產(chǎn)體制。
GaN范本的主要特點(diǎn):?采用在GaN自支撐基板的開發(fā)過程中累積的生長(zhǎng)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高結(jié)晶性和高表面品質(zhì)。?具備同樣適用于大功率芯片鍵合型LED等的低電阻n型GaN緩沖層。?支援表面平坦的藍(lán)寶石基板及各種PSS。?支援直徑2～6英寸芯片（8英寸芯片的開發(fā)正在計(jì)畫中）。除以前開發(fā)出的GaN基板和GaN磊晶外，本公司這次又新增了GaN范本產(chǎn)品，今后將進(jìn)一步強(qiáng)化和擴(kuò)展GaN產(chǎn)品線，以提供可滿足客戶廣泛需求的化合物半導(dǎo)體材料。同時(shí)，今年的5月13～16日期間，公司將參加在美國紐奧良市舉辦的CSMantech，進(jìn)行有關(guān)GaN范本的說明展示。
透過將該產(chǎn)品用作“白色LED磊晶”的底層基板，可以大幅提高白色LED磊晶的生產(chǎn)效率及LED特性。因此，對(duì)于業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)十分激烈的白色LED制造商而言，該產(chǎn)品可望成為有效提升產(chǎn)業(yè)地位的解決方案。
近年來，白色LED以其節(jié)能、壽命長(zhǎng)等顯著優(yōu)點(diǎn)，在以液晶面板背燈為代表的照明產(chǎn)品的需求正在急劇擴(kuò)大。白色LED磊晶的基本結(jié)構(gòu)是，先在藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)出一層10μm厚的n型GaN層，接著生長(zhǎng)一層1μm厚的超薄活性層和p型GaN層。在一般的生產(chǎn)工序中，這些晶體層全部采用MOVPE法實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)。MOVPE法雖然適用于需要原子級(jí)膜厚控制的活性層的生長(zhǎng)，但為了生長(zhǎng)出所需厚度的優(yōu)質(zhì)n型GaN層，則需要花費(fèi)較長(zhǎng)的時(shí)間。因此，白色LED磊晶的生長(zhǎng)次數(shù)每天最多1～2次，如何實(shí)現(xiàn)高效率的生產(chǎn)方式，一直是個(gè)待解決的難題。
為了解決這一課題，該公司開發(fā)出了采用MOVPE法生長(zhǎng)的底層基板所使用的GaN范本。GaN范本采用在藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)n型GaN層的結(jié)構(gòu)。透過采用GaN范本，LED制造商將不再需要n型GaN緩沖層的生長(zhǎng)制程，生長(zhǎng)所需要的時(shí)間也將降至原來的一半左右。另外，采用該公司生產(chǎn)的GaN范本，還可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)低阻化和高結(jié)晶性，也同樣適用于需要較大電流的大功率LED。
之前，該公司曾開發(fā)出用于藍(lán)紫色雷射器等的單晶GaN自支撐基板，并為了實(shí)現(xiàn)該產(chǎn)品的生產(chǎn)，促進(jìn)了采用HVPE法的獨(dú)有結(jié)晶生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展。這次，該公司憑借此項(xiàng)獨(dú)有的生長(zhǎng)技術(shù)，全新開發(fā)出高品質(zhì)GaN范本的高效率生產(chǎn)技術(shù)及設(shè)備，建構(gòu)了完備的量產(chǎn)體制。
GaN范本的主要特點(diǎn):?采用在GaN自支撐基板的開發(fā)過程中累積的生長(zhǎng)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高結(jié)晶性和高表面品質(zhì)。?具備同樣適用于大功率芯片鍵合型LED等的低電阻n型GaN緩沖層。?支援表面平坦的藍(lán)寶石基板及各種PSS。?支援直徑2～6英寸芯片（8英寸芯片的開發(fā)正在計(jì)畫中）。除以前開發(fā)出的GaN基板和GaN磊晶外，本公司這次又新增了GaN范本產(chǎn)品，今后將進(jìn)一步強(qiáng)化和擴(kuò)展GaN產(chǎn)品線，以提供可滿足客戶廣泛需求的化合物半導(dǎo)體材料。同時(shí)，今年的5月13～16日期間，公司將參加在美國紐奧良市舉辦的CSMantech，進(jìn)行有關(guān)GaN范本的說明展示。
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