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[導(dǎo)讀]現(xiàn)有的透明導(dǎo)體主要使用氧化銦錫(ITO);銦被歸為稀土金屬,主要儲(chǔ)量位于中國(guó)。ITO對(duì)各種電子設(shè)備的普及作出了很大貢獻(xiàn),特別是電子顯示器和太陽(yáng)能電池。要制造透明導(dǎo)體,需要在真空腔中使用汽相沉積工藝將ITO濺鍍到目

現(xiàn)有的透明導(dǎo)體主要使用氧化銦錫(ITO);銦被歸為稀土金屬,主要儲(chǔ)量位于中國(guó)。ITO對(duì)各種電子設(shè)備的普及作出了很大貢獻(xiàn),特別是電子顯示器和太陽(yáng)能電池。要制造透明導(dǎo)體,需要在真空腔中使用汽相沉積工藝將ITO濺鍍到目標(biāo)基板上,然后對(duì)帶涂層的基板(通常是玻璃)進(jìn)行化學(xué)蝕刻和圖案設(shè)計(jì)處理,以形成用于觸摸屏中的透明導(dǎo)體。

ITO導(dǎo)電玻璃是在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎(chǔ)上,利用磁控濺射的方法鍍上一層氧化銦錫(俗稱ITO)膜加工制作成的。液晶顯示器專用ITO導(dǎo)電玻璃,還會(huì)在鍍ITO層之前,鍍上一層二氧化硅阻擋層,以阻止基片玻璃上的鈉離子向盒內(nèi)液晶里擴(kuò)散。高檔液晶顯示器專用ITO玻璃在濺鍍ITO層之前基片玻璃還要進(jìn)行拋光處理,以得到更均勻的顯示控制。液晶顯示器專用ITO玻璃基板一般屬超浮法玻璃,所有的鍍膜面為玻璃的浮法錫面。因此,最終的液晶顯示器都會(huì)沿浮法方向,規(guī)律的出現(xiàn)波紋不平整情況。

在濺鍍ITO層時(shí),不同的靶材與玻璃間,在不同的溫度和運(yùn)動(dòng)方式下,所得到的ITO層會(huì)有不同的特性。一些廠家的玻璃ITO層常常表面光潔度要低一些,更容易出現(xiàn)“麻點(diǎn)”現(xiàn)象;有些廠家的玻璃ITO層會(huì)出現(xiàn)高蝕間隔帶,ITO層在蝕刻時(shí),更容易出現(xiàn)直線放射型的缺劃或電阻偏高帶;另一些廠家的玻璃ITO層則會(huì)出現(xiàn)微晶溝縫。

ITO膜層的主要成份是氧化銦錫。在厚度只有幾千埃的情況下,氧化銦透過率高,氧化錫導(dǎo)電能力強(qiáng),液晶顯示器所用的ITO玻璃正是一種具有高透過率的導(dǎo)電玻璃。由于ITO具有很強(qiáng)的吸水性,所以會(huì)吸收空氣中的水份和二氧化碳并產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)而變質(zhì),俗稱“霉變”,因此在存放時(shí)要防潮。

ITO層在活性正價(jià)離子溶液中易產(chǎn)生離子置換反應(yīng),形成其它導(dǎo)電和透過率不佳的反應(yīng)物質(zhì),所以在加工過程中,盡量避免長(zhǎng)時(shí)間放在活性正價(jià)離子溶液中。ITO層由很多細(xì)小的晶粒組成,晶粒在加溫過程中會(huì)裂變變小,從而增加更多晶界,電子突破晶界時(shí)會(huì)損耗一定的能量,所以ITO導(dǎo)電玻璃的ITO層在600度以下會(huì)隨著溫度的升高,電阻也增大。

ITO導(dǎo)電玻璃按電阻分,分為高電阻玻璃(電阻在150~500歐姆)、普通玻璃(電阻在60~150歐姆)、低電阻玻璃(電阻小于60歐姆)。高電阻玻璃一般用于靜電防護(hù)、觸控屏幕制作用;普通玻璃一般用于TN類液晶顯示器和電子抗干擾;低電阻玻璃一般用于STN液晶顯示器和透明線路板。

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ITO導(dǎo)電玻璃制造工藝

(1)電化學(xué)擴(kuò)散工藝:在玻璃上用電化學(xué)擴(kuò)散方法可獲得摻雜超導(dǎo)薄膜。玻璃在電化學(xué)處理裝置中與熔融金屬或化合物接觸,在一定的電場(chǎng)作用下,熔融金屬或化合物中的離子會(huì)擴(kuò)散到玻璃表面,玻璃中的一價(jià)堿金屬離子離解處來(lái),等量地?cái)U(kuò)散至陰極表面,使玻璃表面的化學(xué)組成發(fā)生變化。性能隨之改變。

(2)高溫噴涂和等離子體噴涂工藝:這種技術(shù)是將粉末狀金屬或非金屬、無(wú)機(jī)材料加熱至熔化或未熔化狀態(tài),并進(jìn)一步加溫使其霧化,形成高溫高速焰流噴向需噴涂的玻璃基體。采用這種方式可以先在基體上制備YBaGUOx等涂層,在經(jīng)過熱處理可成為超導(dǎo)性材料。

納米線是一種納米尺度(1納米=10^-9米)的線。 換一種說法,納米線可以被定義為一種具有在橫向上被限制在100納米以下(縱向沒有限制)的一維結(jié)構(gòu)。這種尺度上,量子力學(xué)效應(yīng)很重要,因此也被稱作"量子線"。根據(jù)組成材料的不同,納米線可分為不同的類型,包括金屬納米線(如:Ni,Pt,Au等),半導(dǎo)體納米線(如:InP,Si,GaN 等)和絕緣體納米線(如:SiO2,TiO2等)。分子納米線由重復(fù)的分子元組成,可以是有機(jī)的(如:DNA)或者是無(wú)機(jī)的(如:Mo6S9-xIx)?!∽鳛榧{米技術(shù)的一個(gè)重要組成部分,納米線可以被用來(lái)制作超小電路?!°y納米線除具有銀優(yōu)良的導(dǎo)電性之外,由于納米級(jí)別的尺寸效應(yīng),還具有優(yōu)異的透光性、耐曲撓性。因此被視為是最有可能替代傳統(tǒng)ITO透明電極的材料,為實(shí)現(xiàn)柔性、可彎折LED顯示、觸摸屏等提供了可能,并已有大量的研究將其應(yīng)用于薄膜太陽(yáng)能電池。此外由于銀納米線的大長(zhǎng)徑比效應(yīng),使其在導(dǎo)電膠、導(dǎo)熱膠等方面的應(yīng)用中也具有突出的優(yōu)勢(shì)。

來(lái)自Cambrios公司的ClearOhm涂層材料是其中包含銀納米線(SNW)懸浮物的墨水。納米線是由直徑為數(shù)十納米、長(zhǎng)度為數(shù)十微米的水晶銀制成,因此縱橫比較高。施涂到塑料(通常是PET)基板上時(shí),生成的膜具有一層高度導(dǎo)電但透明的銀納米網(wǎng)線。單晶銀線會(huì)重疊在一起,形成高度導(dǎo)電的網(wǎng)絡(luò)(因?yàn)殂y是已知最具導(dǎo)電性的元素)。

ITO及SNW的優(yōu)勢(shì)對(duì)比

由于技術(shù)已趨成熟,ITO數(shù)年以來(lái)一直處于市場(chǎng)支配地位。一些制造商甚至已在汽相沉積/濺鍍?cè)O(shè)備投資了數(shù)百萬(wàn)美元的資金。

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ITO工藝較為簡(jiǎn)單易懂。雖然其傳導(dǎo)效果不如SNW,ITO膜也無(wú)法提供低的薄層電阻率,但其性能對(duì)于小尺寸觸摸屏的傳統(tǒng)應(yīng)用已足夠。ITO非常一致,圖案能見度最小化,且該材料非常穩(wěn)定。

SNW在傳導(dǎo)效果及低薄層電阻率上均比ITO出色,且該材料已在數(shù)種消費(fèi)產(chǎn)品中應(yīng)用成熟,其制造成本及每單位成本更低,擴(kuò)大SNW生產(chǎn)規(guī)模也更為容易。卷對(duì)卷加工的SNW透明導(dǎo)體對(duì)那些要求產(chǎn)量高、工序簡(jiǎn)單的新建生產(chǎn)設(shè)施是一種極好的選擇,且該材料非常適用于柔性顯示觸摸屏。

Viki 譯 Alex 校對(duì)

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