中小尺寸面板是夏普(Sharp)營運重整的關(guān)鍵事業(yè)，而采用氧化物半導(dǎo)體IGZO技術(shù)的面板更是夏普寄予厚望的產(chǎn)品，但對全球第一家成功量產(chǎn)IGZO面板的夏普來說，其在IGZO面板的優(yōu)勢恐將不再？
日本媒體日刊工業(yè)新聞26日報導(dǎo)，日本神戶制鋼所(Kobe Steel)已研發(fā)出具有「易于量產(chǎn)」特性的薄膜電晶體(TFT)用氧化物半導(dǎo)體材料，其左右耗電力性能的電子遷移率(electron mobility)達10平方公尺/V.S(伏特.秒)，達現(xiàn)行主流的非晶矽TFT的10倍以上，足以媲美夏普已率先進行量產(chǎn)的氧化物半導(dǎo)體「IGZO」。
報導(dǎo)指出，藉由和夏普IGZO的相互競爭，可望加快次世代面板的研發(fā)腳步。據(jù)報導(dǎo)，夏普領(lǐng)先全球進行量產(chǎn)的IGZO是由「銦、鎵、鋅、氧」構(gòu)成，惟神戶制鋼所研發(fā)的新材料的組成則不明。

日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞曾于2012年12月8日報導(dǎo)指出，據(jù)業(yè)界關(guān)系人士指出，夏普的IGZO技術(shù)恐將于1-2年內(nèi)「過時」，主因IGZO基礎(chǔ)專利并非由夏普所擁有，而是由科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu)(JST)所擁有，而JST傾向于廣泛向日本國內(nèi)外企業(yè)進行授權(quán)，其中JST已于2011年夏天和三星電子簽訂了IGZO的授權(quán)契約。