2013年9月5日，首屆“第三代半導體材料及應用發(fā)展國際研討會”在深圳成功召開，來自中科院半導體研究所、南京大學、北京大學、科銳公司、西安電子科技大學等研究機構以及企業(yè)的近百名人士參加了此次會議。

蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千先生在會上做了以《si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢分析》為題的報告，通過詳細講解氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢、硅(si)基氮化鎵的產品優(yōu)勢、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)電力電子器件的關系、LED介入氮化鎵功率器件可選的商業(yè)模式和影響等等方面的內容，介紹了發(fā)展硅基氮化鎵的功率器件的原因、硅基氮化鎵半導體的行業(yè)狀況、氮化鎵功率材料與器件的市場前景和硅基氮化鎵功率半導體的技術發(fā)展方向。

他首先簡單以美國為例介紹了基于半導體技術應用的節(jié)能情景，他表示，半導體技術應用以后，美國每年的節(jié)省的電費達到萬億美元，采用新一代功率器件后，電力損耗還能再減少30%。

他指出氮化鎵相比較硅的優(yōu)點包括三個方面，第一點是導通電阻比較低，氮化鎵的導電阻比硅低1000倍左右;第二點是速度很快，氮化鎵的開關速度比硅高100倍左右，功率密度提升;第三點是耐高溫，GaN可以在500 ℃以上的高溫環(huán)境使用。

在氮化鎵和碳化硅電子器件之間的關系方面，張乃千董事長表示，氮化鎵比較適合900v以下的器件，它是一個平面器件;從材料方面它們不是一個材料，它的優(yōu)勢是氮化鎵的原材料可以依托龐大的照明產業(yè)，成本較低：氮化鎵可以一直生長在一個大的硅片上，既可以降低控制成本，又可以投入大規(guī)模生產;氮化鎵的規(guī)?；呛苤匾模?GaN)器件制作需要的設備可借助于硅工業(yè)，易于大規(guī)模產業(yè)化。

張乃千就氮化鎵器件的市場前景對市場空間和市場大小做了簡單介紹，他說，今年所有的半導體器件加一起包括材料，大概有不到200億美元，到2020年可能將達到400億美元，它的發(fā)展相對平穩(wěn)，不像LED企業(yè)起伏比較大。

而在這個市場中，大概有三分之二的市場屬于工業(yè)電壓比較低的的900v以下，高于900v的占三分之一，氮化鎵比較適合于大概三分之二的市場，這個市場相當?shù)拇蟆?/p>

氮化鎵行業(yè)發(fā)展狀況方面，張乃千指出，在行業(yè)發(fā)展中，氮化鎵起步比較早，通過政府和行業(yè)的的推動，氮化鎵行業(yè)1993年出現(xiàn)了UCSB第一個氮化鎵射頻器件， 1999年出現(xiàn)了第一個氮化鎵電子電力器件，2007年在 6寸硅襯底上長出了氮化鎵，基本從應用的角度開始了推進;而美國歐洲也分別在2002年和2007年啟動了推動計劃;2013年出現(xiàn)了通過了JEDEC質量標準的硅基氮化鎵功率器件，同時中國科技部推出了第三代半導體863計劃。

張乃千說，目前進入硅基氮化鎵這個行業(yè)的大概有五種企業(yè)，分別是硅功率半導體企業(yè)、化合物半導體企業(yè)、硅集成電路企業(yè)、氮化鎵風險企業(yè)和LED照明企業(yè)。其中世界排名前20的功率半導體企業(yè)基本上都在做，現(xiàn)在基本找不到不做硅基氮化鎵的功率半導體企業(yè); LED照明的企業(yè)做氮化鎵也是非常合適的，LED照明最主要的是材料，材料引領產業(yè)，LED的MOCVD產能相當大，不僅能夠滿足LED的發(fā)展,也還能夠滿足電子器件的發(fā)展。LED廠商也可以多樣化經營，可以把過剩的產能分配給功率電子，能夠逐漸走進硅基氮化鎵這個行業(yè)。雖然LED轉向氮化鎵有很大的優(yōu)勢，但也并不是想轉就能轉的，從材料來講需要要達到6寸、8寸的變化，器件的制作和設計與LED有一定差異。因此LED需要將襯底從藍寶石襯底變?yōu)榇蟪叽鏢i襯底,還要學習和使用功率器件設計和加工技術。

LED介入氮化鎵功率器件的商業(yè)模式有兩種，張乃千指出，第一種是自己做，包括生產氮化鎵外延材料并制造功率器件，第二種是提供氮化鎵功率外延片給器件生產商。

張乃千說，LED行業(yè)介入氮化鎵功率器件最有誘惑的一點是它的成本可以削減，在LED的發(fā)展過程中，固定資產的投入折舊占了很大一部分，從這個角度講，外延的成本能夠削減20%，總體而言成本可以削減10%左右。

張乃千提出，在所有工藝半導體成長中，隨著氮化鎵材料可以在6寸到8寸的晶圓上生長之后，制作很快也會朝著6寸到8寸發(fā)展。他說，未來氮化鎵的主要發(fā)展方向是6寸到8寸，并以8寸為主。

同時，他還指出了氮化鎵在發(fā)展之初存在的7個技術問題：

外延技術：外延技術具有很大的熱失配和晶格失配難點，特別是熱失配，需要運用應力工程的方法才能把外延上沒有晶圓的變成有晶圓的，比如說2007年IMEC運用應力工程，在4寸和6寸Si襯底上使用AlN成核層和AlGaN中間層制作了功率器件，現(xiàn)在華測、三星等企業(yè)都能生產比較的好的氮化鎵材料。

提高擊穿電壓：氮化鎵和碳化硅不一樣，制作結構中對擊穿電壓有很多要求，除了我們常見的長板結構是所有的線都要用的，涉及的氮化鎵非常的多，主要有幾個方面，首先是涉及緩沖層，氮化鎵硅基要在氮化鎵和硅基中間產生一個不導電的緩沖層;第2種方法是通過PN加減的方式把壓降反過來或壓降到一個統(tǒng)一的方向，隨著電壓減少效果越來越差，但也能起到一定作用;第3個方法是把硅去掉，氮化鎵粘到不導電的芯片上面。

實現(xiàn)常關型器件：氮化鎵剛出現(xiàn)的時候RS器件是常開型的，所以常關型的器件對電子電源非常重要，也有幾個方向，首先是凹槽柵方向，通過干法刻蝕減薄柵極下勢壘層的厚度，減弱或完全消除柵極區(qū)域的極化效應，這個技術剛開始應用的比較多;其次是p-GaN柵技術， 美國EPC、德國FBH和日本Meijo大學等使用了該技術。 后來香港科技大學發(fā)展了氟離子注入方式，比較適合平面器件。最后是Cap的方式，這方式適合應用在硅的器件中，硅器件的抗耐熱還有電源上面都會存在有一定問題。

抑制電流崩塌效應：開關中開和關需要，我們希望它能把氮化鎵高速的性能發(fā)揚出來抑制電流崩塌效應。表面鈍化，減少RF信號電流崩塌效應 ;場板方法，現(xiàn)在電廠在做防止電流崩塌;還有生長冒層的結構，這幾個結構跟RS器件的結構比較類似，RS器件結構也有電流崩塌效應。