LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 9月5日，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)、中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)共同主辦的“首屆第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國(guó)際研討會(huì)”在深圳成功召開，來自中科院半導(dǎo)體研究所、南京大學(xué)、北京大學(xué)、科銳公司、西安電子科技大學(xué)等研究機(jī)構(gòu)以及企業(yè)的近百名人士參加了此次會(huì)議。

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)張乃千先生在會(huì)上做了以《si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢(shì)分析》為題的報(bào)告，通過詳細(xì)講解氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢(shì)、硅(si)基氮化鎵的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)電力電子器件的關(guān)系、LED介入氮化鎵功率器件可選的商業(yè)模式和影響等等方面的內(nèi)容，介紹了發(fā)展硅基氮化鎵的功率器件的原因、硅基氮化鎵半導(dǎo)體的行業(yè)狀況、氮化鎵功率材料與器件的市場(chǎng)前景和硅基氮化鎵功率半導(dǎo)體的技術(shù)發(fā)展方向。

他首先簡(jiǎn)單以美國(guó)為例介紹了基于半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用的節(jié)能情景，他表示，半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用以后，美國(guó)每年的節(jié)省的電費(fèi)達(dá)到萬(wàn)億美元，采用新一代功率器件后，電力損耗還能再減少30%。

他指出氮化鎵相比較硅的優(yōu)點(diǎn)包括三個(gè)方面，第一點(diǎn)是導(dǎo)通電阻比較低，氮化鎵的導(dǎo)電阻比硅低1000倍左右；第二點(diǎn)是速度很快，氮化鎵的開關(guān)速度比硅高100倍左右，功率密度提升；第三點(diǎn)是耐高溫，GaN可以在500℃以上的高溫環(huán)境使用。

在氮化鎵和碳化硅電子器件之間的關(guān)系方面，張乃千董事長(zhǎng)表示，氮化鎵比較適合900v以下的器件，它是一個(gè)平面器件；從材料方面它們不是一個(gè)材料，它的優(yōu)勢(shì)是氮化鎵的原材料可以依托龐大的照明產(chǎn)業(yè)，成本較低：氮化鎵可以一直生長(zhǎng)在一個(gè)大的硅片上，既可以降低控制成本，又可以投入大規(guī)模生產(chǎn)；氮化鎵的規(guī)模化是很重要的，氮化鎵(GaN)器件制作需要的設(shè)備可借助于硅工業(yè)，易于大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。

張乃千就氮化鎵器件的市場(chǎng)前景對(duì)市場(chǎng)空間和市場(chǎng)大小做了簡(jiǎn)單介紹，他說，今年所有的半導(dǎo)體器件加一起包括材料，大概有不到200億美元，到2020年可能將達(dá)到400億美元，它的發(fā)展相對(duì)平穩(wěn)，不像LED企業(yè)起伏比較大。

而在這個(gè)市場(chǎng)中，大概有三分之二的市場(chǎng)屬于工業(yè)電壓比較低的的900v以下，高于900v的占三分之一，氮化鎵比較適合于大概三分之二的市場(chǎng)，這個(gè)市場(chǎng)相當(dāng)?shù)拇蟆?/p>