加速實(shí)現(xiàn)軟性電子新應(yīng)用
工研院與日本基板大廠KANEKA共同發(fā)表合作開發(fā)可應(yīng)用于未來軟性顯示器的半導(dǎo)體氧化物電晶體陣列技術(shù)(IGZO, In-Ga-Zn-OTFT)，這項(xiàng)創(chuàng)新開發(fā)的IGZO TFT陣列創(chuàng)新開發(fā)出≦200°C低溫制程，更具有高撓曲特點(diǎn)，曲率半徑?1公分，已克服傳統(tǒng)電晶體高溫制程熱脹冷縮造成的位移及基板變形情形，此研究成果已獲第19屆全球顯示技術(shù)研討會(huì)(International Display Workshops , IDW'12)入選論文殊榮，并受邀于12月4日研討會(huì)中發(fā)表。
傳統(tǒng)的電晶體是在380°c高溫制程中，在矽晶圓(Wafer)或玻璃等堅(jiān)固材質(zhì)上，利用濺鍍、光蝕刻、蒸鍍等半導(dǎo)體制程，在矽晶圓上制作出極小的微結(jié)構(gòu)。工研院開發(fā)的IGZO TFT陣列創(chuàng)新使用塑膠基板及低溫≦200°C制程，使電晶體在低溫制程中，仍具有好的電流開關(guān)比特性，也因整合元件結(jié)構(gòu)，突破制程中溫度升高時(shí)，電晶體與塑膠基板兩個(gè)不同材質(zhì)因熱脹冷縮不一致的應(yīng)力問題，使軟性基板在制作過程中不易破裂外，也使軟性基板在制程中維持其平坦性及透明度，易于制作高撓曲TFT背板。
工研院的創(chuàng)新氧化物薄膜電晶體陣列技術(shù)，已整合應(yīng)用于基板大廠KANEKA的軟性塑膠(Polyimide,PI)基板，經(jīng)過雙方合作驗(yàn)證，已成功克服應(yīng)力所造成元件特性失效的技術(shù)挑戰(zhàn)及實(shí)現(xiàn)高撓曲氧化物薄膜電晶體陣列技術(shù)(曲率半徑?1公分)；同時(shí)也透過合作調(diào)整，KANEKA公司也發(fā)展出大于85%高透明度、低熱膨脹(<10ppm/oC)及高耐熱溫度(> 300 oC)特性的基板。預(yù)計(jì)這項(xiàng)這項(xiàng)技術(shù)可廣泛應(yīng)用于軟性AMOLED、軟性AM LCD或軟性EPD，甚至軟性O(shè)PV及OLED Lighting，可加速實(shí)現(xiàn)手機(jī)、電腦或電視等產(chǎn)品變身為輕薄、柔軟及可彎曲的產(chǎn)品，也為軟性電子打開嶄新應(yīng)用。