LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產(chǎn)“溝道型”SiC MOSFET’（電裝解說員）。

在2013年10月舉辦的‘CEATEC JAPAN 2013’上，電裝展示了SiC的相關(guān)技術(shù)（圖1）。其中包括了兩大‘驚喜’。一是電裝宣布SiC功率元件將在2015年實(shí)用化。在此之前，SiC功率元件的成果雖然頻繁出現(xiàn)在學(xué)會和展會等場合，但大家對於實(shí)用化的時(shí)間表都諱莫如深。

二是名為‘溝道型’的新一代SiC MOSFET的實(shí)用化。作為功率半導(dǎo)體材料，SiC與一般的Si相比，能夠制造出損耗更低的功率元件。相關(guān)研發(fā)十分活躍，市面上已經(jīng)出現(xiàn)了SiC材料的二極體和電晶體等產(chǎn)品。

但過去投產(chǎn)的SiC MOSFET，是在元件表面設(shè)置柵極的‘平面型’，在柵極部分挖溝的溝道型尚未投產(chǎn)。溝道型的導(dǎo)通電阻能夠縮小到平面型的幾分之一。因此能夠進(jìn)一步降低損耗。

降低導(dǎo)通電阻還有助於壓縮SiC MOSFET的成本。因?yàn)檫_(dá)到相同的載流量，溝道型的晶片面積要小於平面型。也就是說，1枚SiC基板可以制造出更多的晶片，從而壓縮成本。

圖1：電裝即將把溝道型SiC MOSFET投入實(shí)用

電裝在‘CEATEC JAPAN 2013’上展出了該公司開發(fā)的溝道型SiC MOSFET。預(yù)定於2015年左右投入實(shí)用。除此之外，還展示了150mm（6寸）口徑的SiC基板。

因?yàn)榫邆溥@些特點(diǎn)，溝道型如今成為了‘發(fā)揮SiC優(yōu)勢的電晶體最佳選擇’（多位SiC功率元件技術(shù)人員）。

　　溝道型的研發(fā)速度加快

致力於研發(fā)溝道型SiC MOSFET的不只是電裝，許多半導(dǎo)體企業(yè)都已經(jīng)開始在大力研發(fā)。這一點(diǎn)在2013年9月29日～10月4日舉辦的SiC相關(guān)國際學(xué)會‘ICSCRM2013’上可見一斑。在該學(xué)會上，有關(guān)溝道型SiC MOSFET最新成果的發(fā)表接連不斷（圖2）。其中，羅姆明確提到了投產(chǎn)時(shí)間。該公司表示將在2014年上半年，投產(chǎn)在柵極、源極上都設(shè)置溝槽的‘雙溝道型’SiC MOSFET。

圖2：各公司全力開發(fā)溝道型SiC MOSFET