在業(yè)界熱烈的歡慶聲中，2013年11月11日下午，備受全球矚目的半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)年度盛會(huì)——第十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(CHINASSL2013)正式拉開帷幕，來(lái)自全球半導(dǎo)體照明業(yè)界各方專家學(xué)者、政府領(lǐng)導(dǎo)、行業(yè)精英齊聚京城，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。

在開幕式的論壇環(huán)節(jié)中，首先由獲得全球半導(dǎo)體照明突出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)之一的藍(lán)光、綠光和白光LED發(fā)明人，美國(guó)加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二先生為在場(chǎng)嘉賓和代表們帶來(lái)了精彩報(bào)告：“下一代半導(dǎo)體照明”，引起大家關(guān)注。

中村修二首先對(duì)第一代LED和第二代LED進(jìn)行了對(duì)比，第一代是在碳化硅和硅基底上的LED，而第二代LED則是基于氮化鎵基底，二者比較而言，用氮化鎵做基底的第二代LED較第一代有很大的提高，如電流密度、溫度都有很大提高?！霸谛阅芊矫?，我們采用非極化和半極化的方式進(jìn)行研究，并在2007年有了更大的突破，可以實(shí)現(xiàn)降低50%成本，發(fā)光率則增長(zhǎng)50%?！?/p>

中村修二進(jìn)一步表示，氮化鎵基底沒(méi)有以往那些晶體的缺陷，不僅能提高電流密度，還可以使散熱增加0.4%～0.5%，因此用氮化鎵做基底的LED將更加明亮。除此之外，用氮化鎵還能減少LED的數(shù)量，做出非常漂亮的點(diǎn)光源，并可以達(dá)到75W鹵素?zé)舻乃剑逸斎牍β手挥?2W，“我們也將其稱之為激光燈，未來(lái)將非常有潛力，主要原因在于激光燈的效率非常高，電流效率是10～100A/cm2，而且芯片非常小?！?/p>

最后，中村修二強(qiáng)調(diào)指出，氮化鎵比藍(lán)寶石基底的LED更好，而且成本也有所下降，能夠滿足現(xiàn)有LED技術(shù)要求，其電流密度可比以前增加10倍，照明質(zhì)量更高。同時(shí)，使用氮化鎵還可以采用非極化和半極化的平面，以提高它的效率?！跋乱淮?strong>半導(dǎo)體照明很可能是激光照明，雖然目前還沒(méi)有大規(guī)模使用，但LED燈與激光燈比較，效率下降小、電流密度增加許多，所以激光照明會(huì)是未來(lái)的一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)?！敝写逍薅硎尽?/p>