隨著LED市場競爭的愈發(fā)激烈，LED芯片企業(yè)要保持市場地位，贏取穩(wěn)定的利潤率，就必須不斷提升產(chǎn)品性能，主動提高光效、降低成本，做到成本下降快于產(chǎn)品價(jià)格下降。而降低外延、芯片成本除了規(guī)?；a(chǎn)外，主要在技術(shù)創(chuàng)新上下功夫。提升芯片亮度，更應(yīng)該從采用新技術(shù)、新結(jié)構(gòu)、新工藝著手， 提升芯片性價(jià)比，以適應(yīng)市場需求。

順應(yīng)LED行業(yè)發(fā)展趨勢，先于客戶進(jìn)行技術(shù)升級，北京北方微電子公司在充分了解國內(nèi)外先進(jìn)技術(shù)及客戶需求的基礎(chǔ)上，不斷研發(fā)新一代設(shè)備產(chǎn)品，并通過與客戶進(jìn)行合作驗(yàn)證的方式展開了前瞻性的技術(shù)布局。

先進(jìn)Sputter工藝技術(shù)制備AlN緩沖層

目前用于LED產(chǎn)業(yè)化的襯底主要以藍(lán)寶石、SiC、Si為主，為實(shí)現(xiàn)GaN層在藍(lán)寶石、硅片等異質(zhì)襯底上的外延生長，可在襯底生長一層多晶的GaN或AlN緩沖層?，F(xiàn)有的技術(shù)是利用MOCVD進(jìn)行緩沖層的生長，但MOCVD生長效率低、成本高、產(chǎn)能低，如果能利用Sputter, PECVD等設(shè)備在襯底上先外延一層AlN 緩沖層，不僅可以更好的與藍(lán)寶石進(jìn)行晶格匹配，更可有效的減少下一步外延生長的時(shí)間，降低原材料消耗，從而達(dá)到提高產(chǎn)能、降低成本的目的。此外，AlN的導(dǎo)熱性能優(yōu)于藍(lán)寶石，采用此技術(shù)同時(shí)可有效改善LED芯片的散熱性能，提高LED器件性能的可靠性。

采用Sputter方法制備AlN緩沖層已被證實(shí)是最優(yōu)化且最適用于量產(chǎn)的工藝技術(shù)，也可能是未來企業(yè)差異化競爭的技術(shù)路線之一，該技術(shù)目前已受到多家國內(nèi)主流芯片廠商的密切關(guān)注。北方微電子公司擁有專業(yè)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行專項(xiàng)技術(shù)研發(fā)，通過合理的設(shè)備硬件設(shè)計(jì)，有效解決了AlN緩沖層沉積均勻性和重復(fù)性問題，并積極同國內(nèi)主流外延芯片廠商進(jìn)行AlN緩沖層配套工藝研發(fā)及驗(yàn)證，以此作為市場前瞻性的技術(shù)儲備之一。

TSV深孔刻蝕、填充工藝應(yīng)對晶圓級封裝趨勢

近年來，藍(lán)寶石晶圓尺寸呈現(xiàn)越做越大的趨勢，逐漸由2英寸主導(dǎo)發(fā)展到4英寸、6英寸，甚至是8英寸等， 晶圓級封裝技術(shù)以顯著的成本優(yōu)勢將成為未來面向大尺寸LED芯片封裝的關(guān)鍵技術(shù)。

事實(shí)上，LED晶圓級封裝技術(shù)其實(shí)是從IC封裝演變而來，而北方微電子公司將多年IC高端裝備研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)應(yīng)用于LED行業(yè)裝備，跟進(jìn)LED芯片與封裝制程不斷趨于融合的技術(shù)發(fā)展趨勢，研發(fā)了針對LED 先進(jìn)封裝的TSV深槽刻蝕設(shè)備及配套的深孔金屬填充工藝設(shè)備，以先進(jìn)的工藝解決方案為客戶技術(shù)升級做準(zhǔn)備。

以不斷提高光效為宗旨優(yōu)化芯片制程的工藝研發(fā)

以GaN基LED技術(shù)為核心的半導(dǎo)體照明技術(shù)正向更高光效、更低成本，更可靠和更多元化的方向發(fā)展進(jìn)步，而提高LED芯片的亮度和光電轉(zhuǎn)換效率是LED企業(yè)研究和開發(fā)的核心，也是LED替代其他傳統(tǒng)光源的驅(qū)動力所在。隨著LED芯片技術(shù)的不斷提升，各企業(yè)關(guān)注的增加出光效率的工藝制程也不斷在優(yōu)化。

針對目前各種不同技術(shù)優(yōu)化方案，北方微電子公司也一直秉承科技創(chuàng)新的理念，不斷提供各項(xiàng)提高LED光效的工藝解決方案。從首款大規(guī)模應(yīng)用的國產(chǎn)化藍(lán)寶石圖形化襯底(PSS)刻蝕機(jī)到可顯著提升芯片的輸出光效、提高靶材利用率的LED ITO Sputter設(shè)備，北方微電子一直以客戶為中心，以先于客戶的技術(shù)儲備，為客戶技術(shù)升級提供先進(jìn)的工藝解決方案。

此外，適用于倒裝芯片封裝技術(shù)的無損傷金屬反射層濺射設(shè)備、應(yīng)用于高壓LED芯片制程的GaN深槽刻蝕設(shè)備、可用于制備更高穩(wěn)定性、亮度的LED芯片保護(hù)層、阻擋層的PECVD等設(shè)備工藝技術(shù)解決方案，均在北方微電子的前瞻性技術(shù)布局中整裝待發(fā)，期待能為客戶服務(wù)，使LED芯片企業(yè)能在以不斷降低成本、提升性能為競爭的市場環(huán)境中獲利更多。

憑借卓越的技術(shù)研發(fā)能力，完善的企業(yè)科研管理體制，具有前瞻性的研發(fā)創(chuàng)新布局，近日北方微電子喜獲 CSA2013年度評選“激情2013 年度最具創(chuàng)新力企業(yè)”殊榮。