由于GaN材料與硅襯底之間存在著巨大的晶格常數(shù)失配和熱膨脹系數(shù)失配，直接在硅襯底上生長GaN材料會導(dǎo)致GaN薄膜位錯密度高并且容易產(chǎn)生裂紋，因此硅襯底InGaN基激光器難以制備。該研究方向是目前國際上的研究熱點(diǎn)，但是到目前為止，僅有文章報(bào)道了在光泵浦條件下硅襯底上InGaN基多量子阱發(fā)光結(jié)構(gòu)的激射。

針對這一關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題，中科院蘇州納米所楊輝研究員領(lǐng)導(dǎo)的III族氮化物半導(dǎo)體材料與器件研究團(tuán)隊(duì)，采用AlN/AlGaN緩沖層結(jié)構(gòu)，有效降低位錯密度的同時(shí)，成功抑制了因硅與GaN材料之間熱膨脹系數(shù)失配而常常引起的裂紋，在硅襯底上成功生長了厚度達(dá)到6 μm左右的InGaN基激光器結(jié)構(gòu)，位錯密度小于6×108 cm-2，并通過器件工藝，成功實(shí)現(xiàn)了世界上首個(gè)室溫連續(xù)電注入條件下激射的硅襯底InGaN基激光器，激射波長為413 nm，閾值電流密度為4.7 kA/cm2。

硅襯底InGaN基半導(dǎo)體激光器

硅襯底InGaN基激光器結(jié)構(gòu)示意圖

硅襯底InGaN基激光器性能測試結(jié)果

該項(xiàng)目得到中國科學(xué)院前沿科學(xué)與教育局、中國科學(xué)院先導(dǎo)專項(xiàng)、國家自然科學(xué)基金委、科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、中科院蘇州納米所自有資金的資助，并且感謝中科院蘇州納米所加工平臺、測試平臺以及Nano-X在技術(shù)上的支持。

硅是半導(dǎo)體行業(yè)最常見的材料，基于硅材料的電子芯片被廣泛應(yīng)用于日常生活的各種設(shè)備中，從智能手機(jī)、電腦到汽車、飛機(jī)、衛(wèi)星等。隨著技術(shù)的發(fā)展，研究者發(fā)現(xiàn)通過傳統(tǒng)的電氣互聯(lián)來進(jìn)行芯片與系統(tǒng)之間的通信已經(jīng)難以滿足電子器件之間更快的通信速度以及更復(fù)雜系統(tǒng)的要求。為解決這一問題，“光”被認(rèn)為是一種非常有潛力的超高速傳輸媒介，可用于硅基芯片以及系統(tǒng)間的數(shù)據(jù)通信。

但是，硅作為間接帶隙材料，發(fā)光效率極低，難以直接作為發(fā)光材料。研究人員提出利用具有高發(fā)光效率的III-V族材料作為發(fā)光材料，生長或者鍵合在硅襯底上，從而實(shí)現(xiàn)硅基光電集成。III族氮化物材料是一種直接帶隙材料，具有禁帶寬度寬、化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)、擊穿電場高以及熱導(dǎo)率高等優(yōu)點(diǎn)，在高效發(fā)光器件以及功率電子器件等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景，近年來已成為一大研究熱點(diǎn)。將InGaN基激光器直接生長在硅襯底材料上，為GaN基光電子器件與硅基光電子器件的有機(jī)集成提供了可能。

另一方面，自1996年問世以來，InGaN基激光器在二十多年里得到了快速的發(fā)展，其應(yīng)用范圍遍及信息存儲、照明、激光顯示、可見光通信、海底通信以及生物醫(yī)療等領(lǐng)域。目前幾乎所有的InGaN基激光器均是利用昂貴的自支撐GaN襯底進(jìn)行制備，限制了其應(yīng)用范圍。硅襯底具有成本低、熱導(dǎo)率高以及晶圓尺寸大等優(yōu)點(diǎn)，如果能夠在硅襯底上制備InGaN基激光器，將有效降低其生產(chǎn)成本，從而進(jìn)一步推廣其應(yīng)用。