半導體照明產(chǎn)業(yè)已成為后危機時代的產(chǎn)業(yè)制高點。針對我國基礎研究滯后于技術、市場發(fā)展的現(xiàn)象，專家呼吁――

“由于巨大的應用需求，半導體照明發(fā)展出現(xiàn)了市場領先技術發(fā)展，技術研究領先于基礎研究的特點?！痹诮照匍_的相關主題的香山科學會議上，南京大學物理系教授張榮等專家指出，我國半導體照明基礎研究雖然在過去10年中得到一定支持，但也存在缺位。前期積累的基礎研究成果，已不能適應半導體照明技術發(fā)展的快速需求。因此，加快半導體照明若干重大基礎科學問題研究，解決產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術瓶頸，已經(jīng)迫在眉睫。

半導體照明，被公認為照明史上的第三次革命?！捌浒l(fā)光方式與目前傳統(tǒng)照明的發(fā)光方式完全不同，在發(fā)光效率、壽命、環(huán)保方面有巨大的潛在優(yōu)勢。它具有安全、無頻閃等特點，而且不存在紅外、紫外輻射，不會造成二次污染?！睆垬s介紹。

“根據(jù)理論預期，半導體照明發(fā)光效率可以達到400lm/W左右，是節(jié)能燈預期效率的3―4倍?！敝锌圃喊雽w研究所研究員曾一平分析，按照技術發(fā)展預期，如果半導體照明光源的發(fā)光效率達到200lm/W以上，并取代傳統(tǒng)照明光源，則至少可使我國的照明用電每年節(jié)省1/3以上。按照當前的照明用電量計算，每年節(jié)電近1000億度，超過三峽工程的全年發(fā)電量，并減少二氧化碳排放1億多噸。

記者從會議上了解到，目前國際上半導體照明產(chǎn)品水平已經(jīng)達到100lm/W，我國產(chǎn)業(yè)水平在80lm/W左右，已經(jīng)超過了節(jié)能燈的發(fā)光效率。

半導體照明包括基礎材料、外延材料、芯片、封裝、二次光學設計、應用等一系列內(nèi)容，但是，影響半導體照明發(fā)光效率的核心是材料和芯片?！澳壳霸陉P鍵的白光LED技術上，雖然已經(jīng)在一定范圍內(nèi)獲得實際應用，但與傳統(tǒng)照明光源和技術相比，沒有體現(xiàn)出明顯的優(yōu)勢?！痹黄秸J為，如何實現(xiàn)半導體白光照明的超高效，是全世界半導體照明領域面臨的最重要問題。

“半導體照明發(fā)光效率每提高10lm/W，應用市場就擴大50%?！睆垬s告訴記者，半導體照明發(fā)展的特點是市場發(fā)展領先于技術發(fā)展，技術發(fā)展促進市場應用。但目前，由于半導體照明的基礎研究還相對滯后，對于半導體照明核心氮化物LED發(fā)光過程中的許多基礎問題還不完全清楚或存在爭議。

在本次題為“高效氮化物半導體白光照明材料及芯片基礎問題”的香山科學會議上，張榮認為，半導體照明發(fā)光效率，歸結到基礎科學層面，主要是高應變、強極化氮化物異質(zhì)結構能帶的優(yōu)化設計及實現(xiàn)，氮化物外延生長動力學與缺陷行為控制，氮化物異質(zhì)結構載流子復合動力學和光子傳輸行為控制等關鍵科學問題。正是由于對這些問題的了解還不夠深入，影響了半導體照明技術的發(fā)展。

“半導體照明正是后危機時代的產(chǎn)業(yè)制高點。”張榮指出，由于半導體照明在節(jié)能減排方面蘊含著巨大的市場前景，美、日等國政府紛紛推進相關科技計劃。

美國能源部在2009年公布了固態(tài)照明（SSL）制造研發(fā)的產(chǎn)品路線圖，并將實驗室實現(xiàn)200lm/W發(fā)光效率的時間表，從原定的2020年提前到2015年。

“分析這個路線圖，可以看出，美國對于這個產(chǎn)業(yè)是均衡、科學的部署，覆蓋各個環(huán)節(jié)，基礎研究、技術開發(fā)、產(chǎn)業(yè)化工程示范、市場推廣應用并重?！痹趶垬s看來，其組織框架是以研發(fā)機構為主體，市場需求為導向，產(chǎn)業(yè)化平臺為支撐。

“而我國在基礎研究領域還應該加大支持力度?！睆垬s表示，“從目前100lm/W發(fā)光效率到200lm/W，還需要若干年的努力，基礎研究有待進一步突破?！?/FONT>