春節(jié)前，東南大學(xué)射頻與光電集成電路研究所最新推出的
11項研究成果通過鑒定。專家們一致認(rèn)為，該所研制的11種芯片，9種達到國際先進水平，2種達
到國際領(lǐng)先水平。


光纖系列接口芯片是當(dāng)前信息高速公路的核心器件，無論
是移動通信、計算機互聯(lián)網(wǎng)還是其它各種數(shù)字信息，都必須通過這些芯片轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖
遠距離傳輸后，再經(jīng)過光電變換成為低速的可供人們使用的語音、圖像、文字等各種信息。目前，
我國已建成了長達3百萬公里的光纖干線，但作為接口電路核心的芯片，卻100％依賴進口。據(jù)專
家介紹，我國集成電路制造技術(shù)已達到了0．25微米至0．18微米工藝的國際主流水準(zhǔn)，現(xiàn)在的
“瓶頸”就在設(shè)計領(lǐng)域。


東南大學(xué)歸國專家王志功率領(lǐng)該校射頻與光電集成電路研
究所的同仁，通過參與美國 M OSIS計劃，設(shè)計出擁有自主知識產(chǎn)權(quán)、具有世界先進水平的集成電
路芯片。它們分別屬于光纖傳輸系統(tǒng)復(fù)接器、激光驅(qū)動器、放大器、時鐘恢復(fù)、數(shù)據(jù)判決和分接器
中的核心芯片，形成了完整的系列。據(jù)了解，這批通過鑒定的11種芯片通過了美國 M OSIS工程的
全流程驗證，速率達到了世界范圍內(nèi)0．25微米 C MOS工藝的最高速率。11種芯片中的兩種，即
0．35微米 C MOS2．5Gb ／s限幅放大器和10Gb／s0．25微米 C MOS1∶4分接器，專家們根據(jù)科
技查新報告，一致認(rèn)為達到了世界領(lǐng)先水平。值得一提的是，這11種芯片均采用 C MOS工藝，比
以往采用高速雙極性硅或砷化鎵工藝來實現(xiàn)的芯片，具有工藝成熟，容易獲得、流片成本低、電路
功耗小，集成度高等優(yōu)勢。因此具有廣闊的產(chǎn)業(yè)化前景。


摘自《科技日報》總第5632期