隨著信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體器件和集成電路事業(yè)恰逢?yáng)|風(fēng)，日新月異。我國(guó)在該領(lǐng)域的研究逐步邁入世界先進(jìn)行列，具有一定的發(fā)展優(yōu)勢(shì)及規(guī)模。劉忠立教授作為國(guó)內(nèi)該學(xué)科研究的領(lǐng)軍人物之一，為半導(dǎo)體器件技術(shù)的國(guó)產(chǎn)化做出了卓越的貢獻(xiàn)。

劉忠立畢業(yè)于清華大學(xué)無(wú)線電電子學(xué)系半導(dǎo)體材料及器件專(zhuān)業(yè)。歷任中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微電子研究及發(fā)展中心主任、傳感技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任?，F(xiàn)任中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、博士生導(dǎo)師、創(chuàng)新重大項(xiàng)目“特種半導(dǎo)體器件及電路”負(fù)責(zé)人；兼任傳感技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)委員、973國(guó)家重大基礎(chǔ)研究項(xiàng)目“面向功能重組結(jié)構(gòu)的DSP&CPU芯片及其軟件的基礎(chǔ)研究”專(zhuān)家委員會(huì)委員、中國(guó)電子學(xué)會(huì)核輻射電磁脈沖專(zhuān)委會(huì)委員、中國(guó)電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會(huì)ICCAD專(zhuān)委會(huì)委員、科技部經(jīng)濟(jì)專(zhuān)家委員會(huì)專(zhuān)家、中國(guó)國(guó)際工程咨詢(xún)公司項(xiàng)目評(píng)估專(zhuān)家等職。這成串的職位背后蘊(yùn)涵著劉忠立無(wú)盡的拼搏與奮進(jìn)。

上世紀(jì)60年代中期，劉忠立和研究小組成員沖破重重障礙，試制成功MOSFET及低噪音JFET等器件，其后，在國(guó)內(nèi)率先建立了鈍化柵Si02中鈉離子的PSG(磷硅玻璃)方法、摻HCL高質(zhì)量柵Si02生長(zhǎng)等多項(xiàng)新工藝。由他主持的CMOS指針式電子手表電路研究，榮獲北京市科技二等獎(jiǎng)。

創(chuàng)新的理念激勵(lì)著他不斷前進(jìn)，1980-1982年，他作為訪問(wèn)學(xué)者在德國(guó)多特蒙德大學(xué)電子系從事新CMOS器件研究，首創(chuàng)性地提出并負(fù)責(zé)完成離子注入氮形成隱埋Si3N4的CMOS／SOI研究課題，得到國(guó)際同行的認(rèn)可。劉忠立憑借他精湛的專(zhuān)業(yè)理論知識(shí)，先進(jìn)的創(chuàng)造性思維觀念，以及他特有的執(zhí)著與頑強(qiáng)向世人證明了中國(guó)半導(dǎo)體器件事業(yè)的發(fā)展實(shí)力?；貒?guó)后他又投入到抗輻射CMOS／SOS集成電路研究中，使CMOS／SOS電路的抗輻射指標(biāo)達(dá)到國(guó)際上相應(yīng)電路的最好水平，獲中科院科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。1987年承擔(dān)東Ⅱ(甲)長(zhǎng)壽命衛(wèi)星5個(gè)品種抗輻射CMOS／SOS電路研制，發(fā)明的專(zhuān)利填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白，被中科院授予科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。

1990-1991年受聘于德國(guó)著名的HMI研究所從事MOS器件抗輻射研究，成果顯著。在此期間完成專(zhuān)著一本，被高校選作參考教材。1992年負(fù)責(zé)的抗輻射加固COMS/SOS電路研制工作順利完成，標(biāo)志這一高難度技術(shù)在我國(guó)進(jìn)入成熟及實(shí)用階段。突出的成績(jī)使他榮獲光華基金個(gè)人二等獎(jiǎng)。

“八五”及“九五”期間，他負(fù)責(zé)多項(xiàng)國(guó)家重大預(yù)研課題，均已通過(guò)驗(yàn)收。同中科院微電子所合作完成64K抗輻射CMOS／SOISRAM院重點(diǎn)創(chuàng)新項(xiàng)目，目前正在開(kāi)展更大規(guī)模的同類(lèi)電路研究。同時(shí)，他繼續(xù)開(kāi)展SiGe／SOS、SiGe／SOIRF及寬帶隙（SiC）等器件研究，已取得國(guó)內(nèi)一流的研究成果，研制成高反壓SiC二極管、SiC肖特基二極管、SiCMOS管等。出色的科研工作使劉忠立研究員在國(guó)內(nèi)建立了一個(gè)抗輻射CMOS/SOS及CMOS/SOI研究基地，培養(yǎng)了眾多科研領(lǐng)域的中堅(jiān)力量。多年來(lái)，他把自己的創(chuàng)造性思維與研究心得凝結(jié)成文字，發(fā)表著作多部，重要論文80余篇。

獲得的榮耀激勵(lì)著劉忠立教授一如既往的在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域不斷開(kāi)拓進(jìn)取。