加拿大渥太華，5月30日和日本東京，2006年5月31日——全球領先的微控制器廠商瑞薩科技公司（RenesasTechnologyCorp.）與全球領先的嵌入式存儲器知識產(chǎn)權(quán)（EmergingMemoryTechnologies（EMT）今天宣布，瑞薩已將無電容器雙的晶體管RAM（TTRAM）技術(shù)授權(quán)給EMT。EMT將開發(fā)并將基于TTRAM技術(shù)的存儲器知識產(chǎn)權(quán)擴展到新興的硅絕緣體（SOI）CMOS市場。瑞薩作為主流嵌入式SOI存儲器知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)的TTRAM技術(shù)也將得到擴展。

瑞薩的TTRAM技術(shù)可在標準SOI-CMOS技術(shù)條件下實現(xiàn)動態(tài)的存儲單元結(jié)構(gòu)。這個存儲單元僅由兩個串行連接的晶體管組成，而且無需使用傳統(tǒng)存儲單元中的金屬絕緣層金屬電容器。它也無需采用用于電容器特殊掩模組的派生CMOS工藝，而且可以簡化片上參考電壓源。其存儲單元結(jié)構(gòu)在65nm或更高 工藝技術(shù)條件下仍然可以實現(xiàn)。

瑞薩科技公司系統(tǒng)核心技術(shù)部副總經(jīng)理KazutamiArimoto博士表示：“我們非常高興EMT選擇了我們的TTRAM技術(shù)來開發(fā)他們的大容量系統(tǒng)級芯片（SoC）存儲器知識產(chǎn)權(quán)。用戶需要大存儲容量的解決方案，同時又不想在面積、性能和功耗方面做出設計妥協(xié)。在EMT被授權(quán)基于存儲器知識產(chǎn)權(quán)的TTRAM技術(shù)之后，嵌入存儲器用戶將很快能夠受益于大存儲容量、經(jīng)濟有效的解決方案，而這在從前只能采用傳統(tǒng)的CMOS工藝實現(xiàn)。我們希望，通過將我們的TTRAM技術(shù)與EMT優(yōu)異的存儲器編譯技術(shù)結(jié)合在一起，進一步促進SOI存儲器應用的增長。”

EmergingMemoryTechnologies公司總裁和首席執(zhí)行官SreedharNatarajan表示：“SOICMOS正在從高性能微處理器領域擴展到廣闊的CMOS半導體市場。我們認為，世界一流的存儲器設計能力與瑞薩成功的SOI無電容器TTRAM技術(shù)的結(jié)合，將有助于創(chuàng)造出一種采用SOICMOS的新型半導體解決方案?！?

通過在TTRAM技術(shù)方面的合作，兩家公司將為他們的用戶提供一種大存儲容量的存儲器解決方案，并對存儲器知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)的開發(fā)做出貢獻。



注釋
SOI（硅絕緣體）：一種在薄單晶硅層中形成晶體管的半導體制造技術(shù)，它是在一種絕緣基底上創(chuàng)建的。

TTRM：瑞薩于2005年9月26日宣布的TTRAM技術(shù)。關(guān)于進一步的信息，請訪問：http://cn.renesas.com/fmwk.jsp?cnt=press_release20050926a.htm&fp=/company_info/news_and_events/press_releases