象多數(shù)技術形式一樣，手機中的射頻(RF)收發(fā)器也在不斷進化，以滿足市場對于低成本和高性能的不懈追求。為了滿足這兩種相互矛盾的需求，供應商采取的是一種減少元件數(shù)量和功耗的解決方案。按照這個思路，手機市場現(xiàn)在開始采納一種新的技術：DigRF。雖然2G手機也可以使用這種技術，但DigRF的主要優(yōu)點是它能夠降低3G手機的成本，同時保持或者改善其性能。
手機基帶與RF集成電路(IC)之間的堅實接口，對于確保實現(xiàn)最佳性能非常關鍵。這個接口是基帶配置RF IC和傳送數(shù)據(jù)的主要手段。它還包括電源管理和睡眠功能，這對于降低功耗和延長電池工作時間非常重要。傳統(tǒng)上，這個接口功能是通過模擬I/Q接口實現(xiàn)的。由于這個原因，以及基帶的數(shù)字特性，使用模擬I/Q接口需要額外的混合信號IC，即一個模擬基帶芯片。
DigRF是針對上述接口問題的一種數(shù)字解決方案，允許基帶和RF IC直接通信，不需要額外的混合信號器件。因此，如果使用DigRF，元件數(shù)量和功耗都會明顯下降。尤其是在3G領域，接收(Rx)多樣性是一個關鍵的性能增強能力，元件數(shù)量和功耗下降的意義被進一步擴大，因為每個接收鏈都需要一個模擬I/Q接口，而一個DigRF接口就能支持多個接收鏈。在某些應用中，如一些HSPA和EDGE(HEDGE)等支持多樣性的器件，這可能使所需的接口數(shù)量減少到原來的三分之一。
DigRF于2004年2月首次為2G進行了標準化，2006年11月為3G進行了標準化。在此之前，2G和3G都有自有的數(shù)字接口。由于接口所針對的功能的特點，這些自有解決方案來自同時擁有手機基帶及RF元件專門技術的廠商，如飛思卡爾半導體。
上述每個標準發(fā)布后的12個月內，支持DigRF的初級部件就進入了市場。使用這些部件的數(shù)字接口性能的2G手機于2005年上市，采用的不是自有數(shù)字接口，就是符合DigRF的接口。盡管系統(tǒng)芯片(SoC)或單芯片解決方案的出現(xiàn)與流行，使得2G時代DigRF節(jié)省成本與功率的意義遭到很大削弱，而且將繼續(xù)受到削弱，但該技術繼續(xù)向更多的市場滲透，尤其是進入了高端多功能手機領域仍在使用的EDGE手機之中。
挖掘潛力
相比之下，采用了支持DigRF元件的3G手機剛開始大量出現(xiàn)在市場。如前所述，2006年就有采用自有解決方案的此類產(chǎn)品，但當時數(shù)量相當有限。已經(jīng)吸引到早期接受者，3G手機現(xiàn)在處于大眾市場接受的早期階段——這是市場接受過程的關鍵階段，供應鏈有機會在未來幾年使?jié)B透數(shù)量達到最大化。
由于可以降低元件數(shù)量和功耗，DigRF是刺激3G接受者出現(xiàn)爆炸性增長的關鍵因素，因為它給供應鏈提供了一個最大程度降低平均銷售價格(ASP)的武器，同時把毛利潤率維持在適當水平。
但是，數(shù)字接口并不是適合任何人?！?如果設計不當)數(shù)字接口可能導致平臺的功耗上升，”英飛凌北美公司的RF產(chǎn)品營銷主管Clay Malugin警告稱。據(jù)Clay Malugin，簡單一些的數(shù)字接口方案，需要增加線路驅動器，從而導致總體平臺的功耗上升，并增加封裝的引腳和擴大裸片尺寸。
因此，支持DigRF標準化的英飛凌，正在推動更加復雜的、整體的方法，以實現(xiàn)DigRF的潛在價值。Malugin表示：“基本上，必須從整體平臺的角度來考慮，以獲得DigRF接口在電流消耗、濾波器性能以及靈活性方面的好處，從而簡化平臺集成?！?
采用這類方法需要對手機基帶和RF部分進行廣泛的研發(fā)，這也許是DigRF未得到手機廠商普遍采用的原因之一。DigRF的批評者還推出，基帶與RF IC的SoC集成是不投資于這種接口的另一個原因。
抓緊時間
如前所述，SoC越來越多地被用于2G，限制了DigRF對2G手機的影響。在3G時代，目前的變數(shù)就是時機。
用于3G的SoC解決方案現(xiàn)在才剛開始在產(chǎn)品宣布和供應商產(chǎn)品組合之中。至少還需要兩到三年，SoC才能開始大量進入手機之中，而且到時候獨立的基帶和RF芯片將繼續(xù)增長。
根據(jù)企業(yè)布署DigRF解決方案的當前立場，以及通過平臺優(yōu)化來實現(xiàn)DigRF所具備的潛在好處的能力，上述時間窗口可能使廠商有充分理由投入所需的資金。
讓大眾市場最大程度地接受3G手機，關鍵在于把平均銷售價格降至足夠低的水平，在價格方面使大眾市場能夠買得起，同時不會損害供應商的利益。較低的平均銷售價格肯定會導致利潤率下降，除非成本也同步降低或者降得更多。DigRF等技術是實現(xiàn)這種平衡和推動大眾市場接受3G手機的關鍵，但是由于實現(xiàn)這種潛在價值需要較高的投資，所以廠商必須根據(jù)自己的情況作出適當決策。
手機基帶與RF集成電路(IC)之間的堅實接口，對于確保實現(xiàn)最佳性能非常關鍵。這個接口是基帶配置RF IC和傳送數(shù)據(jù)的主要手段。它還包括電源管理和睡眠功能，這對于降低功耗和延長電池工作時間非常重要。傳統(tǒng)上，這個接口功能是通過模擬I/Q接口實現(xiàn)的。由于這個原因，以及基帶的數(shù)字特性，使用模擬I/Q接口需要額外的混合信號IC，即一個模擬基帶芯片。
DigRF是針對上述接口問題的一種數(shù)字解決方案，允許基帶和RF IC直接通信，不需要額外的混合信號器件。因此，如果使用DigRF，元件數(shù)量和功耗都會明顯下降。尤其是在3G領域，接收(Rx)多樣性是一個關鍵的性能增強能力，元件數(shù)量和功耗下降的意義被進一步擴大，因為每個接收鏈都需要一個模擬I/Q接口，而一個DigRF接口就能支持多個接收鏈。在某些應用中，如一些HSPA和EDGE(HEDGE)等支持多樣性的器件，這可能使所需的接口數(shù)量減少到原來的三分之一。
DigRF于2004年2月首次為2G進行了標準化，2006年11月為3G進行了標準化。在此之前，2G和3G都有自有的數(shù)字接口。由于接口所針對的功能的特點，這些自有解決方案來自同時擁有手機基帶及RF元件專門技術的廠商，如飛思卡爾半導體。
上述每個標準發(fā)布后的12個月內，支持DigRF的初級部件就進入了市場。使用這些部件的數(shù)字接口性能的2G手機于2005年上市，采用的不是自有數(shù)字接口，就是符合DigRF的接口。盡管系統(tǒng)芯片(SoC)或單芯片解決方案的出現(xiàn)與流行，使得2G時代DigRF節(jié)省成本與功率的意義遭到很大削弱，而且將繼續(xù)受到削弱，但該技術繼續(xù)向更多的市場滲透，尤其是進入了高端多功能手機領域仍在使用的EDGE手機之中。
挖掘潛力
相比之下，采用了支持DigRF元件的3G手機剛開始大量出現(xiàn)在市場。如前所述，2006年就有采用自有解決方案的此類產(chǎn)品，但當時數(shù)量相當有限。已經(jīng)吸引到早期接受者，3G手機現(xiàn)在處于大眾市場接受的早期階段——這是市場接受過程的關鍵階段，供應鏈有機會在未來幾年使?jié)B透數(shù)量達到最大化。
由于可以降低元件數(shù)量和功耗，DigRF是刺激3G接受者出現(xiàn)爆炸性增長的關鍵因素，因為它給供應鏈提供了一個最大程度降低平均銷售價格(ASP)的武器，同時把毛利潤率維持在適當水平。
但是，數(shù)字接口并不是適合任何人?！?如果設計不當)數(shù)字接口可能導致平臺的功耗上升，”英飛凌北美公司的RF產(chǎn)品營銷主管Clay Malugin警告稱。據(jù)Clay Malugin，簡單一些的數(shù)字接口方案，需要增加線路驅動器，從而導致總體平臺的功耗上升，并增加封裝的引腳和擴大裸片尺寸。
因此，支持DigRF標準化的英飛凌，正在推動更加復雜的、整體的方法，以實現(xiàn)DigRF的潛在價值。Malugin表示：“基本上，必須從整體平臺的角度來考慮，以獲得DigRF接口在電流消耗、濾波器性能以及靈活性方面的好處，從而簡化平臺集成?！?
采用這類方法需要對手機基帶和RF部分進行廣泛的研發(fā)，這也許是DigRF未得到手機廠商普遍采用的原因之一。DigRF的批評者還推出，基帶與RF IC的SoC集成是不投資于這種接口的另一個原因。
抓緊時間
如前所述，SoC越來越多地被用于2G，限制了DigRF對2G手機的影響。在3G時代，目前的變數(shù)就是時機。
用于3G的SoC解決方案現(xiàn)在才剛開始在產(chǎn)品宣布和供應商產(chǎn)品組合之中。至少還需要兩到三年，SoC才能開始大量進入手機之中，而且到時候獨立的基帶和RF芯片將繼續(xù)增長。
根據(jù)企業(yè)布署DigRF解決方案的當前立場，以及通過平臺優(yōu)化來實現(xiàn)DigRF所具備的潛在好處的能力，上述時間窗口可能使廠商有充分理由投入所需的資金。
讓大眾市場最大程度地接受3G手機，關鍵在于把平均銷售價格降至足夠低的水平，在價格方面使大眾市場能夠買得起，同時不會損害供應商的利益。較低的平均銷售價格肯定會導致利潤率下降，除非成本也同步降低或者降得更多。DigRF等技術是實現(xiàn)這種平衡和推動大眾市場接受3G手機的關鍵，但是由于實現(xiàn)這種潛在價值需要較高的投資，所以廠商必須根據(jù)自己的情況作出適當決策。
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