TD-LTE作為新一代寬帶移動通信技術(shù)，其發(fā)展受到了業(yè)界的高度關(guān)注。如今，在國內(nèi)政府的大力支持與指導(dǎo)下、在中國移動集團公司的大力扶持與推動下，我國的TD-LTE產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，在逐步解決了TD-LTE技術(shù)方面的問題后，未來整個產(chǎn)業(yè)的生態(tài)鏈規(guī)模以及其商用化等問題成為人們關(guān)注的焦點。近日，大唐電信科技產(chǎn)業(yè)集團副總裁陳山枝公開表示，為滿足TD-LTE規(guī)模商用所需的性能、功耗以及成本要求，TD-LTE手機芯片主流工藝需要達到28nm。“預(yù)計28nm工藝成為高端市場主流仍需至少兩年時間。”他說。

隨著網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的快速發(fā)展，近期全球移動互聯(lián)網(wǎng)用戶數(shù)與移動數(shù)據(jù)流量均呈快速增長趨勢，其中移動數(shù)據(jù)流量更實現(xiàn)了爆炸式增長。數(shù)據(jù)顯示，去年全球?qū)嶋H移動數(shù)據(jù)流量是03年預(yù)測數(shù)據(jù)的4.7倍。據(jù)相關(guān)機構(gòu)預(yù)測，2014年移動互聯(lián)網(wǎng)用戶將超過固網(wǎng)用戶，移動互聯(lián)網(wǎng)用戶在手機用戶中滲透率將超30%。在TD終端芯片方面，截至目前TD-SCDMA終端芯片出貨量已經(jīng)超過7000萬，明年TD-SCDMA的滲透率將達到10%。

對此陳山枝表示：“從WCDMA近年的發(fā)展經(jīng)驗來看，當用戶達到10%之后，會進入增長的拐點?？梢赃@樣說，明年TD終端的發(fā)展將進入爆發(fā)期，這對于手機終端與芯片廠家來說，都是一個良性循環(huán)。”

眾所周知，作為TD-SCDMA的長期演進技術(shù)，TD-LTE將與TD-SCDMA長期共存并協(xié)調(diào)發(fā)展。這勢必將提升我國產(chǎn)業(yè)的國際競爭力，并帶動全球制造業(yè)共同提升TD-LTE基礎(chǔ)，國內(nèi)企業(yè)在TD-LTE時代，也能比TD-SCDMA獲得更廣泛的空間。

另一方面，與TD-SCDMA的發(fā)展歷程不同，TD-LTE不僅是實現(xiàn)我國通信產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)全球的重大歷史機遇，更是實現(xiàn)中國產(chǎn)業(yè)升級與創(chuàng)新發(fā)展的需要，是實現(xiàn)中國產(chǎn)業(yè)質(zhì)的飛躍的良機。

在充分肯定TD-LTE發(fā)展前景的同時，陳山枝也坦言：“從TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗來看，目前我國TD-LTE多模多終端芯片仍處于前期開發(fā)階段。”據(jù)了解，隨著芯片生命周期的縮短，芯片產(chǎn)品升級換代也越發(fā)頻繁，芯片廠商必須將不同方案盡快推向市場，并降低開發(fā)成本、縮短開發(fā)時間，才更加容易贏得市場。因此，芯片廠商要在性能、集成度、成本、開發(fā)易用性等方面下工夫。

據(jù)陳山枝透露，為滿足TD-LTE規(guī)模商用所需的性能、功耗以及成本要求，TD-LTE手機芯片主流工藝需要達到28nm，而目前世界主流工藝為65nm。“預(yù)計仍需至少兩年時間，28nm才有望在高端市場成為主流工藝。”

此外，工業(yè)和信息化部電信研究院院長曹淑敏也于近日表示，終端是TD-LTE發(fā)展的重點，而目前TD-LTE終端主要集中在數(shù)據(jù)卡部分，這是一種自然發(fā)展規(guī)律。“終端發(fā)展必然是從單模到多模，多芯片到單芯片，數(shù)據(jù)卡到手機。而工藝是將是65nm到45nm到28nm。”她說。

此外值得一提的是，截至今年9月26日，由中國移動聯(lián)合11大系統(tǒng)設(shè)備廠商、3家芯片廠商進行的六城市TD-LTE規(guī)模商用試驗已全部結(jié)束，并已經(jīng)形成全球通信研發(fā)制造企業(yè)廣泛參與的完整產(chǎn)業(yè)鏈體系。“第二階段的測試工作也即將開始，而測試的重點是多模終端。”