12月7日下午消息（李明）在今天舉行的“2011 TD-LTE測(cè)試技術(shù)研討會(huì)”上，工信部電信研究院李傳峰表示，TD-LTE和LTE FDD終端一致性測(cè)試儀表產(chǎn)業(yè)陣營(yíng)實(shí)力已經(jīng)接近，其中協(xié)議及同期測(cè)試與LTE FDD最為接近。

李傳峰指出，在產(chǎn)業(yè)鏈的共同努力下，TD-LTE標(biāo)準(zhǔn)保持與LTE FDD標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)展同步。隨著在3GPP RAN5貢獻(xiàn)增長(zhǎng)，TDD話語(yǔ)權(quán)得到顯著增強(qiáng)。

同時(shí)，LTE終端行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)展迅速，據(jù)李傳峰介紹，LTE FDD/TDD R8版本單模終端設(shè)備技術(shù)要求已于2011年8月CCSA TC5 WG9 40次會(huì)議完成立項(xiàng)，項(xiàng)目周期一年。在各起草單位共同努力下，目前已完成終端設(shè)備技術(shù)要求征求意見稿的起草和會(huì)議審議工作，后續(xù)將開始起草R8版本各個(gè)部分測(cè)試方法；此外，多模終端測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)目前正在陸續(xù)立項(xiàng)中。

“TD-LTE和FDD LTE共同使用同一套TTCN代碼，MCC TF有來(lái)自多達(dá)12個(gè)公司的20多位專家，工信部電信研究院、大唐、星河亮點(diǎn)派出了多名專家參與其中。”李傳峰表示，僅僅工信部電信研究院貢獻(xiàn)超過(guò)76個(gè)測(cè)試用例。從2008年到2011年，針對(duì)協(xié)議方面，中國(guó)提交的文稿從5.4%提升到39%；針對(duì)RRM方面，中國(guó)提交的文稿從0增加到38%。

“TD-LTE和LTE FDD終端一致性測(cè)試儀表產(chǎn)業(yè)陣營(yíng)實(shí)力接近，其中協(xié)議及同期測(cè)試與FDD最為接近，”李傳峰指出，2011年主要測(cè)試內(nèi)容是RF和協(xié)議。截至目前，已有海思、創(chuàng)毅視訊、重郵、聯(lián)芯科技、中興微電子、Altair和Sequans參與了測(cè)試，終端芯片已完成首輪測(cè)試，目前處在補(bǔ)測(cè)階段。

據(jù)李傳峰介紹，在測(cè)試過(guò)程中，終端芯片和儀表發(fā)現(xiàn)并解決了大量問(wèn)題，終端芯片通過(guò)升級(jí)提升了射頻性能，完善了加密、同頻測(cè)量、數(shù)據(jù)環(huán)回模式等功能；儀表增強(qiáng)了對(duì)R8\R9不同版本終端測(cè)試的兼容性。在產(chǎn)業(yè)鏈共同努力下，第一階段測(cè)試順利進(jìn)行。

終端測(cè)試推進(jìn)了國(guó)內(nèi)外測(cè)試儀表和終端芯片成熟，促進(jìn)了TD-LTE產(chǎn)業(yè)發(fā)展。李傳峰透露，未來(lái)將在第一階段射頻測(cè)試的基礎(chǔ)上，增加性能測(cè)試要求等；同時(shí)在第一階段協(xié)議測(cè)試的基礎(chǔ)上，增加多小區(qū)和Inter-RAT測(cè)試項(xiàng)目等，提高對(duì)終端芯片的測(cè)試要求，有步驟的增加RRM測(cè)試、USIM卡測(cè)試、耗電測(cè)試等。

工信部電信研究院 李傳峰